陈喜红
- 作品数：4 被引量：12H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 影响氧化锌纳米材料场发射性能的因素被引量：1
- 2007年
- 采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同.
- 倪赛力常永勤陈喜红张寅虎多永正强文江龙毅
- 关键词：场发射形貌稳定性
- 几种纳米线及碳纳米管的制备与物理性能研究
- 本论文介绍了作者在几种纳米线和纳米碳管的制备与性能研究方面做的一些工作。利用热丝化学气相积法(HF-CVD)，制备出了取向碳纳米管(CNTs)阵列、超细氮化稼纳米线(GaNNWs)及非晶态硅纳米线阵列(SiNWs)，分析...
- 陈喜红
- 关键词：碳纳米管纳米线场致电子发射物理性能
- 超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性被引量：10
- 2004年
- 以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO_2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO_2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO_2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO_2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO_2是传统的光纤材料,单根SiO_2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。
- 朱彦武陈喜红陈耀锋徐军张洪洲冯孙齐俞大鹏张国义
- 关键词：纳米线阵列催化剂取向性
- 氧化锌纳米阵列场发射性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数，在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列。在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能，发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的．采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性，使电流波动明显降低．此外，形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响，而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同．
- 倪赛力常永勤陈喜红张寅虎多永正强文江龙毅
- 关键词：场发射形貌稳定性
