张洪洲
- 作品数：9 被引量：45H指数：3
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系
- 1998年
- 近几年来，纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣。纳米硅量子线的成功合成［１，２］使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能。本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法，同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态。在本实...
- 张洪洲白志刚丁埃杭青岭俞大鹏冯孙齐
- 关键词：纳米半导体气压硅量子线
- 准一维纳米结构的电子显微学研究被引量：11
- 1998年
- 自从１９９１年，Ｉｉｊｉｍａ发现纳米碳管［１］以来，一系列准一维纳米材料被相继用不同方法合成出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，因而受到人们的广泛研究和关注。...
- 白志刚张洪洲丁埃杭青岭俞大鹏冯孙齐
- 关键词：纳米材料电子显微学硅纳米线
- 一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用，目的是提供一种ZnO纳米线及其制备方法与ZnO纳米线阵列。本发明所提供的ZnO纳米线，它的直径为20－60nm，尖端曲率半径3－10nm。本发明所提供的ZnO纳米线阵列，是...
- 张洪洲徐向宇俞大鹏
- 文献传递
- 准-维纳米结构的合成、生长机制及物性分析
- 张洪洲
- 关键词：纳米硅线VLS光致发光电子显微分析量子限制效应
- 准一维纳米结构的合成、生长机制及物性分析
- 纳米硅线是新近合成的准一维半导体材料.可以使用激光蒸发、简单物理蒸发经学气相沉积(CVD)等方法制备纳米硅线.电镜分析显示,除直线型纳米硅线外,还存在螺旋型和 弯曲型等多种形态的纳米硅线.环境压强、催化剂、载气流量和温度...
- 张洪洲
- 关键词：纳米硅线光致发光电子显微分析量子限制效应
- 文献传递
- 一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用，目的是提供一种ZnO纳米线及其制备方法与ZnO纳米线阵列。本发明所提供的ZnO纳米线，它的直径为20-60nm，尖端曲率半径3-10nm。本发明所提供的ZnO纳米线阵列，是...
- 张洪洲徐向宇俞大鹏
- 文献传递
- 光激励发光材料BaFBr:Eu<'2+>的合成--喷雾干燥法在BaFBr:Eu<'2+>合成中的应用
- 张洪洲
- 一维硅纳米线的生长机制及其量子限制效应的研究被引量：26
- 1999年
- 介绍一维硅纳米线的合成及控制硅纳米线直径的方法、生长机制和不同硅纳米线形态的生成机理以及硅纳米线的量子限制效应 .
- 冯孙齐俞大鹏张洪洲白志刚丁彧杭青岭邹英华王晶晶
- 关键词：硅纳米线量子限制效应
- 超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性被引量：10
- 2004年
- 以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO_2纳米线阵列。这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm。研究发现,载气的湿度对非晶SiO_2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程。对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO_2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关。首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO_2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用。由于SiO_2是传统的光纤材料,单根SiO_2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中。
- 朱彦武陈喜红陈耀锋徐军张洪洲冯孙齐俞大鹏张国义
- 关键词：纳米线阵列催化剂取向性
