周祯华
- 作品数：29 被引量：104H指数：6
- 供职机构：光电信息技术科学教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 非晶体(a-Si)基薄膜功能集成器件和技术的研究
- 熊绍珍赵颖吴春亚孟志国周祯华李景李俊峰代永平张建军张延昕
- “非晶硅（a-Si）基薄膜功能集成器件和技术研究”，是对以a-Si材料为有源层的不同器件经适当组合集成构成某特定功能的器件研究，以及为显示该功能而对相关驱动和控制技术所进行的研究。项目组在完成国家计委和天津科委“八五”科...
- 关键词：
- a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用
- 1999年
- 本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中，Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在ａ－Ｓｉ界面为反应速率限制，而在与Ｍｏ交界面则为扩散速率限制。互作用生成非晶态钼硅Ｍｏ：ａ－Ｓｉ合金。它可阻止铝（Ａｌ）向ａ－Ｓｉ中扩散，同时可改善ａ－ＳｉＴＦＴ的接触特性。当用Ａｌ／Ｍｏ作ａ－Ｓｉ薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）的源和漏电极时，可提高开关电流比达７～８个数量级。
- 赵颖熊绍珍王宗畔孟志国代永平周祯华张建军姚伦
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管
- VHF等离子体光发射谱(OES)的在线监测被引量：17
- 2003年
- 采用光发射谱 (OES)测量技术 ,对不同制备条件下的甚高频 (VHF)等离子体辉光进行了在线监测 .实验表明 ,VHF等离子体中特征发光峰 (Si ,SiH ,H α ,H β 等 )的强度较常规的射频 (RF)等离子体明显增强 ,并且在制备 μc Si:H的工艺条件下 (H稀释度R(H2 SiH4 ) =2 3) ,随激发频率的增加而增大 ,这些发光峰的变化趋势与材料沉积速率的变化规律较相似 .SiH 峰等的强度随气压的变化则因硅烷H稀释度及功率的不同而异 :高H稀释 (R =2 3)时 ,SiH 峰强度在低辉光功率下随反应气压的增大单调下降 ,在高辉光功率下随气压的变化呈现类高斯规律 ;低H稀释 (R =5 .7)时 ,SiH 峰随气压的变化基本上是单调下降的 ,下降速率也与功率有关 ,这些结果表明 ,VHF PECVD制备 μc Si:H和a Si:H的反应动力学过程存在较大差异 .此外 ,随着激发功率的增大 ,Si ,SiH 峰都先迅速增大然后趋于饱和 ,并且随着H稀释率的增大 ,将更快呈现饱和现象 .通过对OES结果的分析与讨论可知 ,VHF PECVD技术沉积硅基薄膜可以有效提高沉积速率 ,而且 ,硅基薄膜的沉积速率的进一步提高需要综合考虑H稀释度。
- 杨恢东吴春亚李洪波麦耀华朱锋周祯华赵颖耿新华熊绍珍
- 关键词：在线监测硅基薄膜太阳能电池
- poly—Si TFT 制作工艺探索
- 1998年
- 对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。
- 张建军吴春亚李俊峰周祯华孟志国赵颖孙钟林
- 关键词：退火准分子激光晶化多晶硅薄膜
- 倒置型OLED的新型复合阴极研究被引量：2
- 2004年
- 利用光学薄膜辅助设计系统软件进行了一种黑膜的模拟计算,据模拟结果制备了黑膜,测试分析了其减反性能并进行了性能改进的初步研究。同金属Al电极相比,此黑膜可使环境光反射率从90%左右降低到20%,经过衬底优化后反射率最低为13%。
- 杨广华吴春亚李娟孟志国郭斌周祯华李凤岩熊绍珍
- 关键词：黑膜
- 非晶硅太阳电池ZnO/Al复合背反射电极的研究
- 本文首先就低温(140℃)下用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法沉积ZnO:Al透明导电膜的工艺条件进行了优化研究.然后在单结(glass/SnO<,2>/pin/)或双结(glass/SnO<,2>/pin/pin/)...
- 薛俊明周祯华任慧志张德坤孙建朱锋麦耀华耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池背反射短路电流磁控溅射法
- 文献传递
- CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究被引量：39
- 2001年
- 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。
- 孙云王俊清杜兆峰舒保健于刚温国忠周祯华孙健李长健张丽珠
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池CIS
- 倒置有机发光器件研究及其有源选址矩阵探索
- 熊绍珍吴春亚周祯华郝云陈有素郭斌杨广华杨恢东李娟王文
- 对正常结构的有机发光器件进行了测试和分析，获到影响OLED器件参数的因素，借以指导倒置器件研制的合适工艺条件：鉴于倒置型OLED的阳极ITO作在器件的最后道工序，而溅射法制备ITO会破坏有机发光层的特性，为此对溅射时有机...
- 关键词：
- 关键词：有机发光器件
- 用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极被引量：8
- 2007年
- 本文首先在低温（140℃）和低功率下采用Zn：Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO：Al透明导电膜。然后在单结（glass／SnO2／pin／）或双结（glass／SnO2／pin／pin／）非晶硅电池上沉积约70-100nm厚的ZnO透明导电膜，最后再用电阻蒸发法沉积Al电极。实验获得了较好的n^＋／ZnO界面，实现了ZnO／Al背电极的增反作用，使电池的短路电流增加1-3mA／cm^2，光电转化效率提高1—3％（绝对效率），小面积电池效率达到9．5％。
- 薛俊明孙建任慧志刘云周段苓伟周祯华张德坤赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅电池背反射短路电流
- 有机发光器件中缺陷态行为表现被引量：2
- 2002年
- 对有机发光二极管 (OL ED)的 I- V特性曲线 ,用有内建电场 Ei 的修正 F- N模型 ,或陷阱电荷限制电流 (TCL)模型进行了模拟分析 ,均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正 F- N模型拟合 ,Ei 不是常数而是随电场变化的 ;对满足 TCL 模型的 OL ED器件 ,其 I- V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状 ,而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明 OL ED中存在着缺陷态。
- 吴春亚熊绍珍郝云陈有素杨恢东周祯华张丽珠
- 关键词：有机发光器件有机发光二极管
