余伟
- 作品数：10 被引量：38H指数：3
- 供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程交通运输工程机械工程更多>>
- 150mm高压脉冲功率晶闸管的研制与应用被引量：7
- 2012年
- 大功率脉冲电源是脉冲电磁发射武器平台的重要组成部分,开关器件是其关键技术。150 mm(6英寸)超大功率脉冲晶闸管的成功研发,满足了超大功率脉冲电源开关器件运行寿命长、可靠性高、体积小、重量轻的发展趋势要求。文章重点研究了浪涌电流下超大功率脉冲晶闸管的特性。
- 李世平任亚东熊思宇余伟
- 关键词：脉冲电源电磁发射晶闸管浪涌电流DI/DT
- 半导体脉冲功率开关的最新进展被引量：20
- 2012年
- 简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用,以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程应用中的同步驱动、感应取能和串联均压等关键技术,并简述了脉冲功率晶闸管组件的工程应用实际效果。阐述了半导体脉冲功率开关及其测试试验平台的发展方向。
- 任亚东李世平颜骥熊辉熊思宇余伟曾文彬张方毅
- 关键词：脉冲功率脉冲放电半导体开关
- 一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法
- 本发明公开了一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法，该失效测试电路包括：第一开关，其与被测器件串联，并与被测器件共同构成第一导电支路；第二开关，其与第一导电支路并联；控制器，其与第一开关和第二开关连接，用于根据检测到的...
- 刘国友黄建伟罗海辉覃荣震余伟朱利恒
- 文献传递
- 新型无损IGBT短路耐性测试电路被引量：2
- 2016年
- 为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。
- 黄建伟刘国友余伟罗海辉朱利恒覃荣震
- 关键词：短路测试
- 牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化被引量：8
- 2014年
- 介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施来限制短路状态下的过流。经过设计与工艺优化后的高压IGBT成功通过了短路特性试验,满足轨道交通的应用需求。
- 刘国友覃荣震黄建伟Ian Deviny吴义伯余伟
- 关键词：绝缘栅双极晶体管短路箝位大功率变流器
- 沟槽栅IGBT关键技术研究被引量：3
- 2015年
- 与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开发了沟槽栅一系列关键工艺:形貌优良的沟槽槽型,质量完好的栅氧生长工艺以及具备优良均匀性的原位掺杂多晶硅填充工艺等。采用改进工艺后的沟槽栅IGBT芯片具有良好的电学性能,展示出优异的栅氧特性,顺利通过了高温动、静态等多项测试,较平面栅IGBT体现出压降和损耗优势。
- 黄建伟杨鑫著刘根罗海辉余伟谭灿健
- 一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法
- 本发明公开了一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法，该失效测试电路包括：第一开关，其与被测器件串联，并与被测器件共同构成第一导电支路；第二开关，其与第一导电支路并联；控制器，其与第一开关和第二开关连接，用于根据检测到的...
- 刘国友黄建伟罗海辉覃荣震余伟朱利恒
- 文献传递
- 一种高压气动开关
- 本实用新型提供一种高压气动开关，包括气缸、上导电组件和下导电组件；所述下导电组件由下至上包括依次固定连接的底板、固定板和下铜块；气缸的活塞杆与底板固定连接；上导电组件通过绝缘螺杆与气缸固定连接；所述上导电组件由下至上依次...
- 任亚东曾文彬熊思宇余伟张方毅李世平颜骥熊辉陈彦潘学军
- 文献传递
- 半导体脉冲功率开关的最新进展
- 简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状，并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用，以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程...
- 任亚东李世平颜骥熊辉熊思宇余伟曾文彬张方毅
- 关键词：晶闸管工程应用
- 文献传递
- 一种应用于脉冲功率领域的IGCT被引量：1
- 2012年
- 介绍一种适用于脉冲功率领域的大功率半导体器件IGCT,简述IGCT器件及其结构,IGCT器件的通流能力强、di/dt高,适于脉冲功率领域应用。进行了脉冲放电的试验并讨论了IGCT的串联应用技术。
- 颜骥雷云任亚东潘学军曾文彬余伟熊思宇
- 关键词：脉冲功率技术功率半导体器件IGCT
