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黄玉文

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子烧毁
  • 1篇电路
  • 1篇离子
  • 1篇晶圆
  • 1篇集成电路
  • 1篇方阻
  • 1篇辐照
  • 1篇干法
  • 1篇SEB
  • 1篇VDMOS器...
  • 1篇SEGR

机构

  • 2篇西安微电子技...

作者

  • 2篇黄玉文
  • 1篇刘存生
  • 1篇耿增建
  • 1篇王小荷

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
VDMOS器件单粒子加固技术研究
本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗...
王小荷黄玉文耿增建
文献传递
一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法
本发明提供了一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法，具体步骤如下：S1基于现有的集成电路制作流程，在离子注入、激活后，获取干法去胶前后晶圆的方阻值得到方阻前值和方阻后值；S2计算方阻前值和方阻后值的差值，所述差值作为...
张万垚杨尚洁郝军李林黄玉文刘存生
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