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陈博

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇INGAAS...
  • 3篇低阈值
  • 3篇多量子阱
  • 3篇半导体
  • 3篇LP-MOC...
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇ALGAIN...
  • 2篇DFB激光器
  • 2篇MQW
  • 2篇波长
  • 2篇长波
  • 2篇长波长
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇压应变
  • 1篇应变多量子阱

机构

  • 7篇中国科学院
  • 3篇国家光电子工...

作者

  • 7篇陈博
  • 6篇王圩
  • 5篇马朝华
  • 5篇周帆
  • 4篇朱洪亮
  • 3篇张静媛
  • 3篇汪孝杰
  • 2篇王志杰
  • 2篇张济志
  • 2篇金才政
  • 1篇王玉田
  • 1篇张子莹
  • 1篇王启明
  • 1篇边静
  • 1篇刘国利
  • 1篇王玉田

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
1998年
本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
关键词：DFB激光器LP-MOCVD
1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长被引量：2
1998年
报道了用低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结（ＢＨ）条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流４～６ｍＡ。２０～４０℃时特征温度Ｔ０高达６７Ｋ，室温下外量子效率为０．３ｍＷ／ｍＡ。
陈博王圩汪孝杰张静媛周帆马朝华
关键词：激光器LP-MOCVD半导体激光器
生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响
1999年
研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍ ＡｌＧａＩｎＡｓ 有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ 结构材料，为器件制作研究打下了基础．
陈博王圩
关键词：半导体激光器INPALGAINASLP-MOCVD生长温度
1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器被引量：1
1998年
本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ。
陈博王圩张静媛汪孝杰周帆朱洪亮边静马朝华
关键词：DFB激光器增益耦合应变多量子阱
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性被引量：1
1997年
本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆金才政马朝华王启明
关键词：半导体多量子阱结构
长波长AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器研制
该论文围绕1.3lμm AlGaInAs/InP应变多量子阱材料及器件的研制进行了多方面的工作,1.材料特性和器件分析:详细分析了长波长InGaAsP/InP材料的能带结构和异质结界面 的能带结构类型.重点分析对比了Al...
陈博
关键词：多量子阱激光器多量子阱材料
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
1997年
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词：低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
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