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纪卫莉

作品数:22 被引量:71H指数:5
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇光电
  • 10篇光电导开关
  • 4篇太赫兹
  • 3篇电导
  • 3篇开关
  • 3篇宽带
  • 3篇教学
  • 3篇赫兹
  • 3篇超宽带
  • 2篇电磁辐射
  • 2篇电磁学
  • 2篇电磁学课程
  • 2篇沿面闪络
  • 2篇载流子
  • 2篇振幅调制
  • 2篇闪络
  • 2篇透射
  • 2篇透射光
  • 2篇全光
  • 2篇微波

机构

  • 22篇西安理工大学
  • 2篇渭南师范学院
  • 1篇长安大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 22篇纪卫莉
  • 11篇施卫
  • 10篇贾婉丽
  • 3篇马丽
  • 3篇屈光辉
  • 3篇张苗苗
  • 3篇李孟霞
  • 3篇王馨梅
  • 2篇马德明
  • 2篇王玥
  • 2篇张琳
  • 2篇薛红
  • 1篇韩小卫
  • 1篇马湘蓉
  • 1篇刘锴
  • 1篇侯磊
  • 1篇赵卫
  • 1篇赵立
  • 1篇刘骞

传媒

  • 5篇物理学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇西安理工大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光电导开关产生太赫兹电磁波双极特性分析被引量:17
2007年
利用光电导体产生太赫兹电磁波(THz波),THz远场辐射波形与光电导体材料的载流子寿命、偏置电场以及触发光有直接关系.用不同方法对低温GaAs(LT-GaAs)和半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关辐射的THz电磁波所呈现的双极特性进行了模拟计算.结果表明,LT-GaAs光电导开关辐射THz波呈现双极性的主要原因是光生载流子寿命小于一个THz波产生时间;而光生载流子寿命大于100ps的SI-GaAs光电导开关,在不同的实验条件(不同偏置电场、不同光脉冲能量)下,产生的THz波呈现双极特性的主要原因分别是载流子发生了谷间散射和空间电荷电场屏蔽.
贾婉丽施卫纪卫莉马德明
关键词:光电导开关载流子寿命
半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟被引量:22
2007年
利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹波)中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟.载流子的时域空间电场分布表明:用高能量激光脉冲触发低压偏置的GaAs开关,空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功率的一个重要因素,并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性.当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发大孔径光电导天线时,空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大.
贾婉丽纪卫莉施卫
关键词:光电导开关CARLO模拟
用光电导开关产生超宽带电磁辐射的研究
半导体光电导开关(简称PCSS's)作为一种新型的高功率超宽带电磁脉冲源,具有传统开关不能比拟的优点,其产生的线性电磁脉冲上升前沿为亚纳秒或皮秒量级、相对带宽超过25%,用宽带天线发射时其频谱可以从几十MHz伸展到几GH...
纪卫莉
关键词:光电导开关超宽带微波光电子学电磁辐射
文献传递
学分制下开放式创新性基础物理实验教学体系改革与实践
基础物理实验对大学生科学素质的形成有着至关重要的作用,科学的物理思维方法、设计与操作能力将影响学生的一生。在完全学分制教学环境下,为在基础实验教学中加强培养学生的实验能力、创新意识和探索精神,通过分块循环,逐步进行,分层...
施卫马德明屈光辉纪卫莉
关键词:实验教学新模式完全学分制教学理念
GaAs光电导开关非线性锁定效应的机理研究被引量:5
2011年
根据光激发电荷畴模型,研究强电场条件下,半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的瞬态输运过程及载流子与晶格相互作用的性质,并对光激发单极电荷畴的形成、生长、输运及达到稳定平衡状态的全过程进行了分析。认为GaAs光电导开关的非线性锁定效应是光激发单电荷畴处于稳定平衡状态时的必然结果,同时,电荷畴内部及前端的强电场区域伴随有热电子强烈的局部碰撞电离和辐射复合作用,使载流子迅速"雪崩"倍增,形成输出电脉冲的超快上升沿,强电场区出现在GaAs光电导开关的阳极周围,在电荷畴到阳极之间将发生强烈的碰撞电离和辐射复合发光,形成丝状电流。
薛红施卫纪卫莉韩小卫
关键词:光电导开关非平衡载流子
基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法
本发明公开了一种基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法,步骤包括:利用入射的光束A和光束B分别作为光逻辑与运算的输入信号照射到半导体晶体,在半导体晶体出射方向设置有接收器,透射光C作为输出信号被接收器探测得到,如果...
王馨梅闫延辉纪卫莉张琳张苗苗
文献传递
光电导开关工作模式的蒙特卡罗模拟被引量:10
2007年
利用二维ensemble-MonteCarlo方法模拟了直流偏置的半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关在飞秒激光脉冲触发下的两种工作模式.结果表明:当偏置电场低于耿氏电场(GaAs为4.2kV/cm)时,开关输出电脉冲呈线性模式;偏置电场超过耿氏电场但触发光脉冲能量低于光能阈值,光电导开关仍然表现出线性工作模式;当偏置电场和触发光脉冲能量都超过非线性模式("lock-on"模式)所需阈值,开关呈现非线性模式;在光子能量较高的激光脉冲触发下,开关非线性模式所需光能阈值降低.非线性工作模式源于光生载流子发生谷间散射,并在开关体内局部区域形成高场区,电场变化大,弛豫时间长,电脉冲呈现非线性.
施卫贾婉丽纪卫莉刘锴
关键词:光电导开关负阻效应
用光电导开关产生超宽带电磁辐射的研究被引量:9
2004年
用全固态绝缘结构的横向型半绝缘GaAs光电导开关 ,在高重复频率飞秒激光脉冲触发下产生超快电脉冲串 ,经过微带同轴过渡连接至宽带微波天线进行了超宽带电磁辐射和接收的实验 ,测试了辐射波形及频谱分布 ,得到了上升时间为 2 0 0ps、脉宽 5 0 0ps、重复频率 82MHz、辐射频带宽度达 6 0GHz以上的电磁波 。
施卫纪卫莉赵卫
关键词:光电导开关微波源
基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法
本发明公开了一种基于光吸收的漂白效应实现全光逻辑与运算的方法,步骤包括:利用入射的光束A和光束B分别作为光逻辑与运算的输入信号照射到半导体晶体,在半导体晶体出射方向设置有接收器,透射光C作为输出信号被接收器探测得到,如果...
王馨梅闫延辉纪卫莉张琳张苗苗
文献传递
一种柔性CNTs太赫兹超材料传感器以及制作方法
本发明公开了一种柔性CNTs太赫兹超材料传感器,包括自下而上依次贴合设置的聚合物衬底层和碳纳米管薄膜层形成的双层结构,碳纳米管薄膜层上刻蚀有若干周期性的超材料单元结构,超材料单元结构中心开设有矩形槽结构,矩形槽结构在碳纳...
王玥张向张晓菊周韬陈素果惠宁菊纪卫莉
文献传递
共3页<123>
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