程兴华
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 偏置条件对硅NPN晶体管伽马辐照效应的影响
- 本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电...
- 程兴华王健安杨晨郭丰刘伦才蒲林龚敏石瑞英
- 关键词：双极晶体管NPN晶体管总剂量效应电偶极子
- 文献传递
- 集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
- 2007年
- 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
- 程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
- 关键词：总剂量效应电偶极子
- GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
- 2011年
- 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化。
- 蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚何志刚史同飞龚敏
- 关键词：GAMNAS遗传算法XRD红外光谱
- 影响磁性pn结自旋极化输运特性的因素
- 2010年
- 利用漂移扩散理论研究了磁性pn结中自旋的输运特性.探讨了外加电压、平衡自旋极化率、外加自旋注入和自旋寿命对磁性pn结电流密度和电阻的影响,讨论了磁性pn结自旋伏特效应与pn结宽度的关系.发现平衡自旋极化率使得不同自旋方向电子具有不同的势垒高度从而能有效调制电流;而外加自旋注入则为磁性pn结提供了非平衡自旋极化电子从而达到对电流的调制作用,同时发现自旋伏特电流随准中性p区宽度减小而增大.
- 何志刚程兴华龚敏蔡娟露石瑞英
- SiGe HBT伽马辐照效应研究
- 文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10<'6>rad(Si)时,其直流电流增益极大值的减小量不超过8％,表现出了良好的抗伽马辐照特性。其电流...
- 杨晨程兴华龚敏石瑞英刘伦才谭开洲
- 关键词：双极晶体管总剂量效应
- 文献传递
- GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究被引量：1
- 2008年
- 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTO向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLO基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理.
- 程兴华唐龙谷陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英
- 关键词：遗传算法
- 稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究
- ＜正＞在过去的几年里,利用载流子自旋属性的自旋电子器件的研究引起了人们的极大关注,这也推动了对适用于自旋电子器件的新型半导体材料的探索和研究。基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的稀磁半导体（DMS） 材料被认为是极具发展潜力的材料...
- 程兴华陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英
- 文献传递
- γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2
- 2007年
- 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
- 杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英
- 关键词：SIGEHBT基极电流集电极电流Γ辐照
