杨晨
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
- 2007年
- 对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
- 程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
- 关键词：总剂量效应电偶极子
- 偏置条件对硅NPN晶体管伽马辐照效应的影响
- 本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电...
- 程兴华王健安杨晨郭丰刘伦才蒲林龚敏石瑞英
- 关键词：双极晶体管NPN晶体管总剂量效应电偶极子
- 文献传递
- SiGe HBT伽马辐照效应研究
- 文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10<'6>rad(Si)时,其直流电流增益极大值的减小量不超过8％,表现出了良好的抗伽马辐照特性。其电流...
- 杨晨程兴华龚敏石瑞英刘伦才谭开洲
- 关键词：双极晶体管总剂量效应
- 文献传递
- SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究被引量：1
- 2007年
- 本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究。对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错。由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错。通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关。
- 郭丰张静龚敏刘伦才杨晨谭开洲石瑞英
- 关键词：SIGE/SI异质结位错
- γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2
- 2007年
- 对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
- 杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英
- 关键词：SIGEHBT基极电流集电极电流Γ辐照
