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蒲林

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇晶体管
  • 2篇集电极
  • 2篇集电极电流
  • 1篇电偶极
  • 1篇电偶极子
  • 1篇电势
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极型...
  • 1篇英文
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇偶极
  • 1篇偶极子
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇基极
  • 1篇基极电流
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇NPN晶体管

机构

  • 3篇四川大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇龚敏
  • 3篇石瑞英
  • 3篇蒲林
  • 2篇杨晨
  • 2篇程兴华
  • 2篇王健安
  • 2篇谭开州
  • 1篇刘伦才
  • 1篇刘轮才
  • 1篇唐龙谷
  • 1篇田野
  • 1篇郭丰
  • 1篇温景超

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)被引量：3
2011年
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。
温景超石瑞英龚敏唐龙谷田野谭开州蒲林
关键词：异质结双极型晶体管集电极电流
集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响被引量：2
2007年
对硅npn双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流条件下γ辐照的总剂量效应进行了研究.结果表明,npn晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加;尤其是实验中发现:在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻.空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤与辐照集电极偏置电流的关系.文章对空间电荷模型进行了修正,认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外,还会在外基区Si-SiO2界面附近形成电中性的电偶极子.利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果.
程兴华王健安龚敏石瑞英蒲林刘伦才郭丰杨晨
关键词：总剂量效应电偶极子
γ辐照对SiGe HBT特性的影响被引量：2
2007年
对室温下γ射线辐照对SiGe异质双极晶体管(HBT)直流特性的影响进行了研究.结果表明,γ辐照后SiGe HBT的集电极电流和基极电流都有不同程度的增加,直流电流增益减少.并对γ辐照后引起SiGe HBT集电极电流净增加的原因进行了探讨.这可能有助于其抗辐照模型的建立.
杨晨刘轮才龚敏蒲林程兴华谭开州王健安石瑞英
关键词：SIGEHBT基极电流集电极电流Γ辐照
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