江若涟
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 硅纳米结构及纳米电子器件研究
- 施毅郑有斗顾书林沈波张荣刘建林韩平江若涟胡立群朱顺明袁晓莉江宁杨红官卜惠明
- 该项目围绕着硅纳电子学的发展方向，对纳米结构及纳米电子器件开展了深入系统研究，在基础研究和有着重大意义。该项目在硅纳米结构、微结构及纳米电子器件研究中取得了许多重要突破和创造性的成果，在国际同类工作中处于领先地位。已发表...
- 关键词：
- 关键词：半导体硅纳米电子器件
- MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
- 徐峰陈敦军张荣谢自力刘斌刘启佳江若涟郑有阧
- 关键词：X射线衍射原子力显微镜X射线光电子谱RAMAN散射
- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
- 文献传递
