您的位置: 专家智库 > >

李金光

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:安徽大学物理与材料科学学院光电信息获取与控制教育部重点实验室更多>>
发文基金:安徽省自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省教育厅重点科研项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇发光
  • 1篇形貌
  • 1篇织构
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇热法
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米棒阵列
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇SM

机构

  • 3篇安徽大学

作者

  • 3篇张启平
  • 3篇张瀚铭
  • 3篇丁琼琼
  • 3篇李金光
  • 3篇王伟娜
  • 3篇方庆清
  • 2篇王璨
  • 1篇吕庆荣
  • 1篇刘艳美

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构及形貌的影响被引量:1
2013年
研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo(002)衍射峰与Cu(111)衍射峰强度之比(R),从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu(111)与SmCo(002)织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.
方庆清张启平王伟娜李金光张瀚铭丁琼琼吕庆荣刘艳美王璨
关键词:缓冲层织构形貌
Cu掺杂对ZnO基薄膜光学及磁学性能影响被引量:3
2012年
本文采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长出单晶ZnCoAlO薄膜,并通过加镀Cu层调节薄膜的光学和磁学特性。采用X射线衍射仪(XRD),光致发光光谱仪,振动样品磁强计(VSM)和霍尔效应仪对薄膜的结构、光学和磁学性能进行了研究。实验表明,样品均具有纤锌矿结构并沿(002)面择优生长。加镀Cu层之后,薄膜紫外发光得到增强,掺杂导致薄膜ZnO晶格能带间隙变宽,并使得近带边激子发光增强。同时发现,在室温下Cu离子对薄膜磁性和电子浓度产生影响,Cu掺杂可以改变薄膜中载流子浓度,并影响原有磁性的双交换机理。
张瀚铭方庆清王伟娜李金光张启平丁琼琼
关键词:ZNO薄膜光致发光室温铁磁性
水热法辅助溶胶-凝胶法制备Al∶ZnO纳米棒阵列及发光性能研究被引量:3
2012年
采用水热法结合溶胶-凝胶法在SiO2基片上制备了不同Al含量掺杂的ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射仪(XRD),电子扫描显微镜(SEM),透射光谱和光致发光光谱仪(PL)等测量手段,分析了Zn1-xAlxO薄膜样品的微结构、表面形貌、透射及光致发光特性。结果表明,制备出的Zn1-xAlxO薄膜具有良好的结晶质量和明显的沿(002)方向择优取向生长。透射谱分析显示,样品的吸收边随Al含量的增加出现明显的红移现象。PL谱分析表明,掺杂Al以后,薄膜出现强的橙红光发射光谱带,通过谱线拟合,发现在可见光波段的缺陷发光主要是位于能量为1.92eV和2.15 eV的红光及黄光发射,主要发光机理为Zni缺陷发射。
丁琼琼方庆清王伟娜李金光张瀚铭张启平王璨
关键词:水热法纳米棒阵列发光
共1页<1>
聚类工具0