王伟娜
- 作品数：13 被引量：46H指数：4
- 供职机构：安徽大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省教育厅重点科研项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 水热法制备磁性Fe3O4针状纳米颗粒及亚微空心球被引量：9
- 2009年
- 采用一步水热法制备出针叶状的Fe3O4纳米颗粒,并最终组装成亚微尺寸Fe3O4空心球.用XRD、FIIR谱表征了样品的相结构.用TEM照片表征样品的形貌,可看出随着反应时间的延长,反应产物由针叶状的纳米颗粒最后组装成空心球.用VSM测量了样品的室温磁性,发现Fe3O4空心球表现出铁磁性.
- 吕庆荣方庆清刘艳美李雁王伟娜尹萍
- 关键词：FE3O4空心球磁性
- 制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜结构及光学性能的影响被引量：10
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时,Zn1-xMgxO保持六角纤锌矿结构,0.25≤x≤0.35时为立方结构,经过600℃退火之后,Zn0.75Mg0.25O转化为六角纤锌矿结构;后续退火有利于晶粒长大,一定的氧气氛也有利于减少晶体缺陷和薄膜的c轴应力,但是过量的氧气容易与Mg元素结合形成MgO,不利于ZnO六角纤锌矿结构的生长.对Zn0.925Mg0.075O薄膜进行荧光光谱分析,分析结果表明缺陷发光峰主要与锌空位、锌位氧(OZn)或氧间隙(Oi)等缺陷有关,退火可以使紫外发射峰蓝移.
- 王伟娜方庆清周军王胜男闫方亮刘艳美李雁吕庆荣
- 关键词：光学性质
- Zn1-xMgxO薄膜的光致发光特性研究被引量：9
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果表明,Mg含量增加,Zn1-xMgxO单晶薄膜的紫外发光峰蓝移,发光峰强度减弱,缺陷发光强度增强.同时发现,由于Mg的掺杂,引入了一些束缚能较大的局域束缚态.对于氧气氛下制备的样品,实验发现紫外峰和绿光带发光峰同时增强,但是R值减小,紫外峰红移.对绿光发光机理研究发现,绿光发光带主要与锌空位、氧间隙(Oi)或锌位氧(OZn)等缺陷有关,它是由多个缺陷发光峰组成,各缺陷发光峰强度相对变化导致了绿光发光带的整体移动.
- 方庆清王伟娜周军王胜男闫方亮刘艳美李雁吕庆荣
- 关键词：光致发光脉冲激光沉积
- 过渡族金属掺杂ZnO薄膜的晶体结构和磁性研究
- 2009年
- 采用电子束蒸发法制备了过渡族金属(Fe、Co、Cu)掺杂ZnO薄膜.通过对样品薄膜的结构分析,研究了衬底温度以及Cu掺杂含量对薄结晶状况的影响,获得沿c轴高度择优取向的高质量ZnO薄膜.采用X射线衍射谱(XRD)分析样品结构,并对薄膜的晶粒结构、晶粒尺寸和表面形态进行讨论,认为400℃的衬底温度对硅衬底薄膜是合适的.通过对薄膜磁性能的分析和研究,得出一些有意义的结果:适量过渡金属离子Fe、Co掺杂的ZnO薄膜,在室温下具有铁磁性,而在此基础上掺入少量的Cu离子能改善薄膜的磁性能.
- 李玉刚方庆清王伟娜吴克跃刘艳美
- 关键词：ZNO薄膜掺杂电子束蒸发磁性能
- Mg，Co共掺杂ZnO薄膜的PLD制备工艺及性能研究
- ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料,属于六角纤锌矿结构,具有较大的激子束缚能,可以实现室温下的紫外受激辐射。它的化学性质稳定,带隙达到3.37eV,非常适用于短波长光学器件,是目前极具发展潜力的电子材料之一。最近研究...
- 王伟娜
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂光致发光磁性
- 文献传递
- （Li，N）共掺p-ZnO薄膜：制备、性能及p-n结研究
- ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料,激子束缚能为60meV,可以在室温产生的激子重组。尽管ZnO的研究可以追溯到几十年前,但是新的研究方向主要集中在如何获得高质量的基板和p型掺杂以及稀磁特性等方面。要实现ZnO在器...
- 王伟娜
- 关键词：P-N结光致发光I-V特性
- 文献传递
- Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构及形貌的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo(002)衍射峰与Cu(111)衍射峰强度之比(R),从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu(111)与SmCo(002)织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.
- 方庆清张启平王伟娜李金光张瀚铭丁琼琼吕庆荣刘艳美王璨
- 关键词：缓冲层织构形貌
- Fe_3O_4/锶铁氧体复合吸波材料的制备与性能被引量：12
- 2009年
- 以F127为表面活性剂和模板制备出分布均匀的Fe3O4颗粒,通过透射电镜分析,发现颗粒基本无团聚,且具有独特的结构和性质。将Fe3O4与锶铁氧体复合制成复合吸波材料,研究了复合材料的结构、形貌、磁性能与吸波性能。发现复合材料的吸波性能不仅与复合材料中各组分的配比有关,还与材料的种类和结构有关,我们制备的Fe3O4颗粒由于加入了共聚物F127,产生了独特的结构,有助于电磁波在材料内部的反射和干涉损耗,使得复合材料的吸波性能有较大的提高。当Fe3O4颗粒的含量为40%时复合材料的吸波性能最好。
- 闫方亮方庆清王胜男王伟娜
- 关键词：吸波性能
- Cu掺杂对ZnO基薄膜光学及磁学性能影响被引量：3
- 2012年
- 本文采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长出单晶ZnCoAlO薄膜,并通过加镀Cu层调节薄膜的光学和磁学特性。采用X射线衍射仪(XRD),光致发光光谱仪,振动样品磁强计(VSM)和霍尔效应仪对薄膜的结构、光学和磁学性能进行了研究。实验表明,样品均具有纤锌矿结构并沿(002)面择优生长。加镀Cu层之后,薄膜紫外发光得到增强,掺杂导致薄膜ZnO晶格能带间隙变宽,并使得近带边激子发光增强。同时发现,在室温下Cu离子对薄膜磁性和电子浓度产生影响,Cu掺杂可以改变薄膜中载流子浓度,并影响原有磁性的双交换机理。
- 张瀚铭方庆清王伟娜李金光张启平丁琼琼
- 关键词：ZNO薄膜光致发光室温铁磁性
- Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响被引量：4
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响。结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强。随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(MS)呈先增大后减小的趋势。分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关。
- 黄文娟方庆清王伟娜吴克跃张瀚铭张启平
- 关键词：室温铁磁性
