张瀚铭
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
- 供职机构：安徽大学物理与材料科学学院光电信息获取与控制教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省教育厅重点科研项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构及形貌的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了不同厚度SmCo薄膜的结构以及Cr缓冲层对SmCo/Cu薄膜结构、形貌及性能的影响.结果表明,对于较厚的SmCo薄膜,延长退火时间可有效提高样品的结晶度;Cr缓冲层能够提高样品表面的平整度,降低SmCo平均晶粒尺寸,增强SmCo(002)衍射峰与Cu(111)衍射峰强度之比(R),从而提高样品的磁性能.同时发现,SmCo/Cu薄膜的磁性能可以通过调节Cr缓冲层厚度进一步得到优化,其中通过调控缓冲层厚度提高R值,形成Cu(111)与SmCo(002)织构,是提高SmCo5/Cu薄膜磁性的关键所在.
- 方庆清张启平王伟娜李金光张瀚铭丁琼琼吕庆荣刘艳美王璨
- 关键词：缓冲层织构形貌
- 利用Cu、Co调节ZnAlO基透明导电薄膜光学与电学性能研究
- ZnO是一种常见的半导体材料，可以较为容易的产生光致发光或者受激辐射，具有很好的应用前景，有着广泛的应用价值，ZnO单晶可以相对容易的生长，在可见光谱中具有较小的光灵敏度和高透明度以及和玻璃、塑料相兼容的温度，对环境的影...
- 张瀚铭
- 关键词：铜掺杂钴掺杂电学性能
- Cu掺杂对ZnO基薄膜光学及磁学性能影响被引量：3
- 2012年
- 本文采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长出单晶ZnCoAlO薄膜,并通过加镀Cu层调节薄膜的光学和磁学特性。采用X射线衍射仪(XRD),光致发光光谱仪,振动样品磁强计(VSM)和霍尔效应仪对薄膜的结构、光学和磁学性能进行了研究。实验表明,样品均具有纤锌矿结构并沿(002)面择优生长。加镀Cu层之后,薄膜紫外发光得到增强,掺杂导致薄膜ZnO晶格能带间隙变宽,并使得近带边激子发光增强。同时发现,在室温下Cu离子对薄膜磁性和电子浓度产生影响,Cu掺杂可以改变薄膜中载流子浓度,并影响原有磁性的双交换机理。
- 张瀚铭方庆清王伟娜李金光张启平丁琼琼
- 关键词：ZNO薄膜光致发光室温铁磁性
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中缺陷诱导的室温铁磁性
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)薄膜,研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影响。分析表明,Mg掺杂量会影响薄膜中的缺陷浓度,进而影响缺陷周围离子中的自旋极化效应,对薄膜磁性产生影响。氧压的增大会使Zn0.925Mg0.075O薄膜中锌位氧(OZn)缺陷浓度增大,但是,缺陷浓度过大又会使薄膜中出现缺陷对,这些影响使薄膜磁性随氧压的增大先增大后减小。而后续退火会影响薄膜结晶质量和缺陷浓度,也会对薄膜磁性产生影响。上述三个因素对Mg掺杂ZnO薄膜磁性的影响都与薄膜中的缺陷浓度变化有关。
- 黄文娟方庆清王伟娜吴克跃张瀚铭张启平
- 关键词：ZNO薄膜室温铁磁性
- 水热法辅助溶胶-凝胶法制备Al∶ZnO纳米棒阵列及发光性能研究被引量：3
- 2012年
- 采用水热法结合溶胶-凝胶法在SiO2基片上制备了不同Al含量掺杂的ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射仪(XRD),电子扫描显微镜(SEM),透射光谱和光致发光光谱仪(PL)等测量手段,分析了Zn1-xAlxO薄膜样品的微结构、表面形貌、透射及光致发光特性。结果表明,制备出的Zn1-xAlxO薄膜具有良好的结晶质量和明显的沿(002)方向择优取向生长。透射谱分析显示,样品的吸收边随Al含量的增加出现明显的红移现象。PL谱分析表明,掺杂Al以后,薄膜出现强的橙红光发射光谱带,通过谱线拟合,发现在可见光波段的缺陷发光主要是位于能量为1.92eV和2.15 eV的红光及黄光发射,主要发光机理为Zni缺陷发射。
- 丁琼琼方庆清王伟娜李金光张瀚铭张启平王璨
- 关键词：水热法纳米棒阵列发光
- Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响被引量：4
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响。结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强。随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(MS)呈先增大后减小的趋势。分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关。
- 黄文娟方庆清王伟娜吴克跃张瀚铭张启平
- 关键词：室温铁磁性
