李念龙
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
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- 一种分割环栅的抗辐照N型MOSFET
- 一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区...
- 王向展王凯李念龙于文华于奇
- 文献传递
- 一种新的MOS管抗总剂量辐射加固措施
- 本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种新的加固结构—环栅-P栅切割结构,并利用Sentaurus TCAD对所提出的加固措施的有效性...
- 李念龙王凯于文华刘昌举王向展
- 关键词：版图设计总剂量辐射
- 文献传递
- 一种高速恒流输出驱动电路的设计被引量：1
- 2013年
- 提出了一种新型的恒流输出驱动电路,该电路保持了传统电路的低负载电压调整率,同时,采用瞬间增强运放驱动的方式,提升了电路的开启速度。基于0.25μm BCD工艺,完成HSPICE仿真。结果表明,电路的负载电压调整率近似为0;输出电流为30mA时,电路的开启时间仅为10.3ns;在不同输出电流下,电路开启时间的差异较小。该电路可应用于开关电源、手机充电器及LED显示屏等电路芯片中。
- 董铸祥李念龙于奇宁宁曹英帅
- 关键词：电源管理恒流输出驱动电路
- MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究被引量：4
- 2013年
- 研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真。
- 李念龙于奇王凯于文华董铸祥
- 关键词：Γ辐射总剂量辐射陷阱电荷TCAD
- 微弱电流信号读出电路的MOS晶体管辐射加固研究
- 高性能的微弱信号读出电路因红外焦平面阵列的广泛应用愈凸显出其重要性，其由于常常工作于总剂量辐射环境下受到总剂量辐射的影响而不能正常工作，因此需要对其进行抗总剂量辐射加固。为了大幅度节约成本，常常需要在标准商业生产线上进行...
- 李念龙
- 关键词：读出电路MOS晶体管
- 一种分割环栅的抗辐照MOSFET
- 一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区...
- 王向展王凯李念龙于文华于奇
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