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朱奎英

作品数：20 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 14篇氧化层
  • 10篇外延层
  • 9篇栅氧化
  • 9篇栅氧化层
  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 6篇多晶硅栅
  • 6篇有源
  • 6篇硅栅
  • 6篇N型
  • 5篇绝缘体上硅
  • 3篇低压
  • 3篇低压电
  • 3篇低压电路
  • 3篇电极
  • 3篇电路
  • 3篇电路应用
  • 3篇型深
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇鲁棒

机构

  • 20篇东南大学

作者

  • 20篇朱奎英
  • 19篇钱钦松
  • 18篇孙伟锋
  • 17篇时龙兴
  • 14篇陆生礼
  • 7篇刘斯扬
  • 6篇李明
  • 3篇张丽
  • 3篇华国环
  • 3篇王青
  • 3篇祝靖
  • 3篇魏守明
  • 2篇孙俊
  • 1篇孙伟峰
  • 1篇陈健

传媒

  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 11篇2011
  • 2篇2010
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Double RESURF nLDMOS功率器件的优化设计被引量：2
2010年
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。
朱奎英钱钦松孙伟峰
关键词：击穿电压导通电阻
N型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
一种N型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由N型外延层和镶嵌在其中的P型半导体区构成，在P型体区上设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有N型漏...
孙伟锋王青朱奎英李明钱钦松陆生礼时龙兴
一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管
一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第...
钱钦松刘斯扬魏守明孙伟锋时龙兴张丽朱奎英
文献传递
绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺
绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型顶层单晶硅，在N型顶层单晶硅上生成表面氧化层，在表面氧化层表面涂光刻胶，在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口；b、腐蚀裸露出的表面...
钱钦松朱奎英孙伟锋孙俊陆生礼时龙兴
绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管
一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂...
时龙兴刘斯扬祝靖朱奎英钱钦松孙伟锋陆生礼
文献传递
SOI双槽隔离结构的耐压特性
2012年
理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.
陈健朱奎英刘斯扬钱钦松孙伟锋
关键词：耐压模型
绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，...
时龙兴刘斯扬祝靖朱奎英钱钦松孙伟锋陆生礼
降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P...
孙伟锋钱钦松朱奎英陆生礼时龙兴
文献传递
P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏...
时龙兴华国环朱奎英李明钱钦松孙伟锋陆生礼
一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管
一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第...
钱钦松刘斯扬魏守明孙伟锋时龙兴张丽朱奎英
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