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孙伟锋

作品数：1,063 被引量：520H指数：10
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 885篇专利
  • 159篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 286篇电子电信
  • 77篇电气工程
  • 34篇自动化与计算...
  • 6篇文化科学
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 254篇电路
  • 184篇氧化层
  • 152篇多晶
  • 151篇多晶硅
  • 141篇变换器
  • 139篇多晶硅栅
  • 139篇硅栅
  • 127篇半导体
  • 119篇栅氧化
  • 119篇栅氧化层
  • 115篇电流
  • 109篇晶体管
  • 104篇电压
  • 101篇金属
  • 85篇电源
  • 79篇氧化物半导体
  • 78篇双极型
  • 63篇绝缘体上硅
  • 58篇外延层
  • 53篇衬底

机构

  • 1,063篇东南大学
  • 23篇无锡华润上华...
  • 18篇东南大学—无...
  • 8篇安徽大学
  • 4篇无锡华润上华...
  • 3篇南京邮电大学
  • 3篇香港理工大学
  • 3篇无锡新洁能股...
  • 3篇苏州博创集成...
  • 2篇华南理工大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国空空导弹...
  • 2篇无锡芯朋微电...
  • 1篇北方工业大学
  • 1篇常熟理工学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南京医科大学
  • 1篇南通大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1,063篇孙伟锋
  • 790篇时龙兴
  • 669篇陆生礼
  • 276篇钱钦松
  • 219篇徐申
  • 193篇刘斯扬
  • 174篇祝靖
  • 72篇易扬波
  • 70篇夏晓娟
  • 65篇郑丽霞
  • 65篇吴金
  • 61篇宋慧滨
  • 55篇杨淼
  • 51篇张龙
  • 46篇李海松
  • 45篇钟锐
  • 39篇张春伟
  • 37篇谢亮
  • 32篇杨卓
  • 29篇叶然

传媒

  • 35篇电子器件
  • 21篇东南大学学报...
  • 15篇固体电子学研...
  • 12篇微电子学
  • 10篇Journa...
  • 7篇电子学报
  • 6篇半导体技术
  • 6篇Journa...
  • 5篇电力电子技术
  • 4篇红外与激光工...
  • 3篇应用科学学报
  • 3篇液晶与显示
  • 3篇航空兵器
  • 3篇2013年全...
  • 2篇物理学报
  • 2篇通信电源技术
  • 2篇电子工程师
  • 2篇中国工程科学
  • 2篇现代电子技术
  • 2篇2002中国...

年份

  • 6篇2024
  • 35篇2023
  • 35篇2022
  • 38篇2021
  • 64篇2020
  • 54篇2019
  • 53篇2018
  • 70篇2017
  • 74篇2016
  • 83篇2015
  • 74篇2014
  • 70篇2013
  • 108篇2012
  • 65篇2011
  • 45篇2010
  • 41篇2009
  • 47篇2008
  • 26篇2007
  • 17篇2006
  • 20篇2005
共 1,063 条 记 录，以下是 1-10
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一种高热可靠性功率模块
一种高热可靠性功率模块，具有更低的工作结温以及更均匀的芯片温度分布，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有覆铜且覆铜设在散热底板的上表面上，在覆铜陶瓷基板上至...
刘斯扬宋海洋魏家行方云超王宁孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种绝缘体上硅可集成大电流P型组合半导体器件
一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面...
钱钦松孙伟锋曹鹏飞陆生礼时龙兴
文献传递
一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管
一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂...
祝靖邹艳勤李少红孙伟锋时龙兴
硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统
一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采...
孙伟锋陆扬扬许欢祝靖陆生礼时龙兴
文献传递
一种蓄电池容量的检测方法
本发明公开了一种蓄电池容量检测方法，给蓄电池施加一双脉冲电流信号，测量不同时刻该双脉冲电流信号产生的电压响应及其一阶导数，利用不同公式计算蓄电池的电源电动势的变化以及蓄电池极板上的电容和电阻，进而计算出蓄电池容量。本发明...
孙伟锋张太之付君宇刁龙钱钦松陆生礼时龙兴
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一种显著提高控制电流—输出频率线性度的张弛振荡器
一种显著提高控制电流—输出频率线性度的张弛振荡器，包括振荡电路、延时误差检测电路和调制电流产生电路，延时误差检测电路用于检测振荡电路中充放电电容的峰值电压，并根据峰值电压产生延时误差消除信号，使振荡器振荡在预设的频率上，...
孙伟锋黄泽祥张允武祝靖陆生礼时龙兴
文献传递
一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件
一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区...
钱钦松孙虎孙伟锋苏展时龙兴
文献传递
一种压控延时单元以及高精度时间数字转换器
本发明公开了一种用于高精度时间数字转换器的压控延时单元，所述压控延时单元可通过改变内部并联的负载电容个数对延时进行配置，每个额外增加的并联负载电容所引入的微小延时增量相同，等于时间数字转换器的分辨率。采用延迟锁相环(DL...
吴金赵洋张蓬勃郑丽霞孙伟锋
文献传递
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计被引量：6
2004年
讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明:在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时,该保护电路不会导通,因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。
姚维连孙伟锋吴建辉
关键词：静电放电保护电路
一种AC-DC变换器输出电流的控制方法及其控制系统
一种AC-DC变换器输出电流的控制方法，在变换器中开关管的每一个开关周期，分别实时采集辅助绕组两端和初级电路中采样电阻上的电压信号，根据辅助绕组两端的电压信号，运用拐点检测法找到辅助绕组电压下降的拐点，进而得到次级电路当...
顾星煜徐申孙伟锋
文献传递
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