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钱钦松

作品数:297 被引量:18H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 277篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 58篇电子电信
  • 35篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学

主题

  • 64篇氧化层
  • 62篇多晶
  • 62篇多晶硅
  • 60篇多晶硅栅
  • 60篇硅栅
  • 58篇变换器
  • 49篇栅氧化
  • 49篇栅氧化层
  • 49篇绝缘体上硅
  • 47篇半导体
  • 46篇电路
  • 41篇电流
  • 40篇外延层
  • 36篇氧化物半导体
  • 34篇衬底
  • 31篇电压
  • 29篇金属
  • 27篇晶体管
  • 27篇硅衬底
  • 21篇氧化物

机构

  • 297篇东南大学
  • 7篇东南大学—无...
  • 7篇无锡华润上华...

作者

  • 297篇钱钦松
  • 276篇孙伟锋
  • 256篇时龙兴
  • 223篇陆生礼
  • 66篇祝靖
  • 55篇刘斯扬
  • 22篇刘琦
  • 20篇朱俊杰
  • 19篇朱奎英
  • 18篇张太之
  • 14篇徐申
  • 14篇张龙
  • 12篇陈越政
  • 10篇李海松
  • 10篇刁龙
  • 10篇庄华龙
  • 9篇华国环
  • 9篇杨兰兰
  • 9篇霍昌隆
  • 9篇宋慧滨

传媒

  • 5篇电子器件
  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 1篇电子科技
  • 1篇半导体技术
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇通信电源技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 13篇2023
  • 8篇2022
  • 9篇2021
  • 15篇2020
  • 11篇2019
  • 8篇2018
  • 14篇2017
  • 15篇2016
  • 18篇2015
  • 27篇2014
  • 22篇2013
  • 57篇2012
  • 38篇2011
  • 21篇2010
  • 19篇2009
  • 2篇2008
297 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括:兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域,所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上,原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上,所...
孙伟锋祝靖钱钦松宋慧滨陆生礼时龙兴
文献传递
一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法
一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法,包括电压采样电路、运算放大电路、低通滤波电路、微控制器和隔离驱动电路。在LLC变换器的每一个工作周期内,通过电压采样电路分别在LLC变换器副边侧的同步整流MOS管关断之...
钱钦松詹成旺刘琦朱俊杰孙伟锋陆生礼时龙兴
超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括:兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域、设在原胞区域周围的终端区域及位于原胞区域与终端区域之间的过渡区域,所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上,原胞区域和终...
钱钦松刘侠孙伟锋华国环陆生礼时龙兴
文献传递
一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法
一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法,将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内,并将温度控制箱调至25℃,给待测器件漏源两端施加直流电压,在栅极上施加栅极直流工作电压,测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏...
钱钦松刘斯扬张頔孙伟锋陆生礼时龙兴
一种减小单电感双输出变换器输出电压稳态误差的方法及其电路
一种减小单电感双输出变换器输出电压稳态误差的方法,当主环误差放大器采用无大电容补偿时,在主环中增设一个电流采样保持电路,其输出的直流电平V<Sub>dc</Sub>与斜坡电压V<Sub>ramp1</Sub>叠加求和后产...
陆生礼肖哲飞于花张力文钱钦松孙伟锋时龙兴
文献传递
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括:兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构,所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上,超结结构设在N型硅掺杂半导体区上,所述的超结结构由相互间隔的P型...
钱钦松祝靖张龙杨卓孙伟锋陆生礼时龙兴
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一种移相全桥式车载充电机死区时间的动态调节系统
一种移相全桥式车载充电机死区时间动态调节系统,包括输入整流滤波模块、移相全桥主功率模块、输入电压采样模块、输出电流采样模块、栅驱动模块、STM32单片机控制模块。STM32单片机通过其内部的ADC将输入电压采样模块和输出...
孙伟锋付君宇俞居正司开心钱钦松陆生礼时龙兴
文献传递
超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构
一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构,包括:兼做漏区的N型重掺杂硅衬底,在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属,在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层,在N型掺杂硅外延层上设有超结结构,所述的超结结...
钱钦松祝靖林颜章马文力孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路的保护方法
一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法,电路包括电流变化探测电路,电流探测电路,软关断保护电路和降栅压保护电路,电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号,软关断保护电路与降栅压保护电...
钱钦松刘斯扬霍昌隆崔其晖孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺
绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺,包括:a、在半导体衬底上设有埋氧化层,在埋氧化层上设有N型顶层单晶硅,在N型顶层单晶硅上生成表面氧化层,在表面氧化层表面涂光刻胶,在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口;b、腐蚀裸露出的表面...
钱钦松朱奎英孙伟锋孙俊陆生礼时龙兴
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