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易黎

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇氧化物半导体
  • 3篇二极管
  • 3篇ESD保护
  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇势垒
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇静电保护
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体功率器...
  • 2篇ESD保护结...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电荷
  • 1篇电路测试
  • 1篇氧化物

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇易黎
  • 8篇李泽宏
  • 5篇周春华
  • 4篇廖忠平
  • 3篇张波
  • 3篇钱梦亮
  • 3篇谢刚
  • 2篇张磊
  • 2篇刘勇
  • 2篇王宇
  • 2篇张子澈
  • 1篇谭开洲
  • 1篇吕沛
  • 1篇罗萍
  • 1篇李肇基
  • 1篇王宇

传媒

  • 4篇第十五届全国...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇1996
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
VDMOS器件ESD保护结构的设计
本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。 多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现，用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。对不同I区宽度和二极管串联个...
李泽宏易黎周春华罗萍计建新张波
关键词：版图设计
文献传递
主动式动态测试系统的设计与实现
易黎
功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良...
周春华李泽宏胡永贵刘勇易黎钱梦亮
关键词：静电保护
一种新型超势垒整流器SBR的设计
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR：Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规...
廖忠平李泽宏周春华钱梦亮谢刚吕沛王宇易黎
关键词：结构参数
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区4，所述部分埋氧区4位于器件主要垂直导电通路的两旁，可做在外延层3上，或同时占据衬底2和外延层3的部分区域，或同时占据外...
李泽宏张子澈张磊易黎张波李肇基
文献传递
抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率SOI V－DMOS内引入由绝缘体区域4构成的部分埋氧结构，所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的两旁...
李泽宏张子澈易黎张磊张波
文献传递
基于多晶硅二极管的DMOS器件ESD保护
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言，降低了器件泄漏电流，消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构，确定了结构参数，并对其ESD保护能...
易黎李泽宏周春华胡永贵刘勇谭开洲廖忠平吕沛
关键词：金属-半导体二极管静电保护电路测试
横向局域寿命控制功率IOC-FRD的设计
提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD：Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法，获得该器件的等效少子寿命的解析式，从而建立了存储时间的表达...
吕沛李泽宏谢刚王宇廖忠平易黎
关键词：快恢复二极管优化设计欧姆接触
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚廖忠平李泽宏周春华钱梦亮吕沛王宇易黎
关键词：正向压降反向恢复可靠性
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