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文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇势垒
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 1篇电荷
  • 1篇电路
  • 1篇电路测试
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇阳极短路
  • 1篇应用环境
  • 1篇优化设计
  • 1篇正向压降
  • 1篇隧道
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇结构参数
  • 1篇金属-半导体...
  • 1篇静电保护
  • 1篇可靠性

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇廖忠平
  • 5篇李泽宏
  • 4篇易黎
  • 4篇谢刚
  • 3篇周春华
  • 2篇王宇
  • 2篇钱梦亮
  • 1篇谭开洲
  • 1篇吕沛
  • 1篇张波
  • 1篇刘勇
  • 1篇马俊
  • 1篇王宇

传媒

  • 3篇第十五届全国...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种新型超势垒整流器SBR的设计
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR:Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒,建立了该器件正向压降的解析式,同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规...
廖忠平李泽宏周春华钱梦亮谢刚吕沛王宇易黎
关键词:结构参数
一种阳极短路的隧道泵IGBT
一种阳极短路的隧道泵IGBT,属于半导体功率器件技术领域。本发明是在传统IGBT中同时引入阳极短路结构和隧道泵结构,或是在单纯的阳极短路的IGBT中引入隧道泵结构,或是在单纯的隧道泵的IGBT中引入阳极短路结构,使得本发...
李泽宏谢刚廖忠平马俊张波
文献传递
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚廖忠平李泽宏周春华钱梦亮吕沛王宇易黎
关键词:正向压降反向恢复可靠性
基于多晶硅二极管的DMOS器件ESD保护
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言,降低了器件泄漏电流,消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构,确定了结构参数,并对其ESD保护能...
易黎李泽宏周春华胡永贵刘勇谭开洲廖忠平吕沛
关键词:金属-半导体二极管静电保护电路测试
横向局域寿命控制功率IOC-FRD的设计
提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD:Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法,获得该器件的等效少子寿命的解析式,从而建立了存储时间的表达...
吕沛李泽宏谢刚王宇廖忠平易黎
关键词:快恢复二极管优化设计欧姆接触
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