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钱梦亮

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 7篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇半导体
  • 9篇晶体管
  • 8篇绝缘栅
  • 8篇功率器件
  • 8篇半导体功率器...
  • 7篇安全工作区
  • 5篇双极型
  • 5篇双极型晶体管
  • 5篇绝缘栅双极型...
  • 4篇空穴
  • 3篇正向压降
  • 3篇势垒
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇金属
  • 3篇晶闸管
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 3篇沟道
  • 2篇淀积
  • 2篇短接
  • 2篇短路

机构

  • 18篇电子科技大学
  • 2篇微电子有限公...

作者

  • 18篇钱梦亮
  • 16篇李泽宏
  • 12篇张波
  • 4篇周春华
  • 3篇易黎
  • 3篇连延杰
  • 2篇廖忠平
  • 2篇刘勇
  • 2篇谢刚
  • 1篇杨舰
  • 1篇马荣耀
  • 1篇吕沛
  • 1篇王蓉
  • 1篇王蓉
  • 1篇钟圣荣
  • 1篇王宇
  • 1篇洪辛
  • 1篇王宇

传媒

  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇四川省电子学...
  • 2篇中国电器工业...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有P型浮空层的槽栅IGBT
一种具有P型浮空层的槽栅IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在积累层控制的沟槽栅绝缘栅双极型晶体管基础上引入了P型浮空层(11)，有效改善了槽栅底部的电场集中效应，大大提高了器件的击穿电压。同时，P型浮空层的存在...
李泽宏钱梦亮王蓉张波
文献传递
一种槽栅MOS控制的晶闸管
本文提出一种槽栅MOS控制的TMCT品闸管。该器件为六层结构，包括品闸管部分、PNP品体管部分和槽栅控制部分。借助仿真软件MEDICI分析该器件的电流分布和i-v特性，并与EST器件和IGBT器件对比;结果表明TMCT能...
马荣耀钱梦亮李泽宏
关键词：晶闸管电流分布击穿电压
文献传递
一种新型超势垒整流器SBR的设计
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR：Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规...
廖忠平李泽宏周春华钱梦亮谢刚吕沛王宇易黎
关键词：结构参数
一种积累层沟道TIGBT的特性其正向压降模型的建立
本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工作机理及相关特性进行了阐述及仿真分析，并根据其载流子浓度分布和电流连续性方程建立了具...
洪辛钱梦亮李泽宏张波
关键词：绝缘栅双极晶体管载流子浓度
文献传递
功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良...
周春华李泽宏胡永贵刘勇易黎钱梦亮
关键词：静电保护
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，属于半导体工艺制造领域。本发明主要制造步骤包括：N<Sup>+</Sup>衬底的制备，N<Sup>－</Sup>外延生长，栅氧氧化，多晶硅淀积及掺杂，淀积二氧化硅，刻出多晶硅...
李泽宏钱梦亮连延杰张波
文献传递
一种积累层控制的晶闸管
一种积累层控制的晶闸管，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过P<Sup>+</Sup>旁路区(4)和N<Sup>－</Sup>耗尽区(33)形成的内建电场构成电子势垒来阻止电子的流通，从而控制晶闸管的关断。当栅上加正电...
李泽宏钱梦亮张波
文献传递
积累层控制的绝缘栅双极型晶体管
积累层控制的绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。包括沟槽绝缘栅双极型晶体管、平面绝缘栅双极型晶体管和横向绝缘栅双极型晶体管。器件在阻断状态下，P<Sup>+</Sup>体区(10)和N<Sup>－</Sup>...
李泽宏钱梦亮张波
文献传递
一种具有两次“Snapback”的新结构LSCR
提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明...
钱梦亮李泽宏胡永贵刘勇周春华杨舰
关键词：CMOS集成电路保护元件结构特征
一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件
提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压降和关断时间的折中关系，且反向阻断特性好。
王蓉钱梦亮谢刚曹奎李泽宏
关键词：局域寿命控制阳极短路正向压降关断时间横向绝缘栅双极晶体管
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共2页<12>
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