姬长建
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：南通市应用研究计划项目江苏省自然科学基金南通大学自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
- 2007年
- 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
- 钟飞邱凯李新化尹志军姬长建韩奇峰曹先存陈家荣段铖宏周秀菊王玉琦
- 关键词：表面形貌GAN薄膜
- 低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象被引量：3
- 2008年
- 通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.
- 罗向东姬长建王玉琦王建农
- 关键词：GAMNAS反射光谱折射率
