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吕树海

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇单电子存储器
  • 1篇量子器件

机构

  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇吕树海
  • 1篇周瑞
  • 1篇郭荣辉
  • 1篇刘玉贵
  • 1篇吕苗
  • 1篇赵正平

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型
2002年
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品。信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要的意义。存储器的结构以及温度、电磁辐射等环境因素都对单电子存储器记忆时间产生影响,因而有必要寻求一种模型来综合各种因素对储存器存储寿命的影响。借鉴Gamow、Gurney和Condon处理某些重核α粒子自然衰变的方法对单电子存储器的记忆能力进行研究,考虑到了环境参数和结构参数对记忆性能的影响,给出了一种新的单电子存储器记忆时间模型,并对该模型进行详细的理论分析。
郭荣辉赵正平刘玉贵周瑞吕树海齐荣巧张月梅吕苗
关键词：单电子存储器量子器件
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