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周瑞

作品数：27 被引量：21H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市浦江人才计划项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇功率器件
  • 4篇电路
  • 4篇势垒
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基势垒
  • 4篇击穿电压
  • 3篇探测器
  • 3篇微波功率器件
  • 3篇芯片
  • 3篇量子阱红外探...
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇半导体
  • 3篇T型栅
  • 3篇ALGAAS...
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化处理
  • 2篇淀积
  • 2篇叠层

机构

  • 25篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇北京无线电计...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 27篇周瑞
  • 9篇冯震
  • 6篇李亚丽
  • 6篇霍玉柱
  • 5篇蔡树军
  • 5篇王勇
  • 4篇潘宏菽
  • 4篇商庆杰
  • 4篇张雄文
  • 4篇张志国
  • 4篇李亮
  • 4篇秘瑕
  • 3篇刘英斌
  • 3篇过帆
  • 3篇娄辰
  • 3篇李献杰
  • 3篇王民娟
  • 3篇赵润
  • 3篇赵永林
  • 3篇张世祖

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇宇航计测技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇计量学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2010年全...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2003
  • 2篇2002
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法
本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层或SiO<Sub>2</Su...
李亮霍玉柱周瑞李丽亚严锐
文献传递
太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展被引量：1
2020年
多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观分布形态及宏观分布规律等研究进展,介绍了两种夹杂物的伴生过程。根据多晶硅铸锭的生长条件,探讨了其中的碳和氮元素的来源及碳化硅和氮化硅夹杂物对多晶硅铸锭加工过程的影响。最后,从生长条件及工艺方法等方面分析了关于抑制和消除碳化硅和氮化硅夹杂物的研究进展情况。
周瑞王书杰王书杰孙聂枫邵会民刘惠生邵会民
关键词：晶体生长太阳电池半导体材料
基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×2...
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：MOCVD技术量子阱红外探测器红外热成像
文献传递
110 GHz在片16项误差模型校准件定值方法研究被引量：4
2021年
现有商用集总参数校准件电路模型使用简便,但由于校准件电路模型的不完善、电路中参数在提取过程中采用拟合算法等原因,导致其定值准确度受限。从用于高频串扰修正的16项误差模型校准件设计入手,给出了校准件高精度的定值方法——即通过研制辅助的Multiline TRL校准标准,采用测试加仿真的方式对校准件进行定值,并采用定值文件作为定值样式。采用定值过的16项误差模型校准件校准在片测试系统,并与美国NIST基于Multiline TRL的二次校准方法比较,在110 GHz内,两者S21相差在0.30 dB以内,相位相差1°以内。所不同的是,16项误差模型校准件的个数远低于NIST,并且在校准过程中不需要移动探针。在保证准确度的前提下,大大提高了测试效率。
王一帮周瑞陈婷吴爱华刘晨梁法国
关键词：计量学在片测试串扰
20W X波段GaN MMIC的研究被引量：2
2009年
张志国王民娟冯志红周瑞胡志富宋建博李静强蔡树军
关键词：MMIC微波单片集成电路X波段微波功率器件微带电路电路形式
半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
文献传递
GaN微波器件T型栅的制作方法
本发明公开了一种GaN微波器件的T型栅的制作方法，其包括下述步骤：①在GaN基片上生长高温介质层，所述高温介质层的成分为Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>；②在上述高温介质层的上表面生长低温介质层，所...
王勇李亮秘瑕彭志农周瑞蔡树军
9μm截止波长128×128AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列(英文)被引量：4
2006年
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1·5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8·4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB*为3·95×108(cm·Hz1/2)/ W.将128×128元Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：ALGAAS/GAAS量子阱红外探测器红外热成像
基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器被引量：10
2007年
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 cm.Hz1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：MOCVDALGAAS/GAAS量子阱红外探测器
放大器芯片
本发明提供了一种放大器芯片，该放大器芯片包括：堆叠集成的第一芯片和多层PCB基板；所述第一芯片上印制有放大器电路，所述多层PCB基板的各个偶数层基板上印制有子滤波电路，各个偶数层基板上印制的子滤波电路串联构成滤波电路；所...
赵瑞华卜爱民由利人王磊白锐宋学峰徐达李丰汤晓东周瑞胡松祥马伟宾郝俊祥王亚君杨旭达
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