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陶骏

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇CDZNTE
  • 3篇升华
  • 3篇探测器
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇辐射探测器
  • 2篇紫外光探测器
  • 2篇自支撑
  • 2篇颗粒尺寸
  • 2篇可重复性
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 2篇硅基
  • 2篇ZNS薄膜
  • 1篇单晶
  • 1篇电装
  • 1篇电阻率

机构

  • 9篇上海大学

作者

  • 9篇陶骏
  • 9篇王林军
  • 9篇黄健
  • 5篇张月璐
  • 5篇张继军
  • 5篇徐闰
  • 4篇徐文强
  • 2篇任兵
  • 2篇徐海涛
  • 2篇王君楠
  • 2篇唐可
  • 2篇张磊
  • 2篇杨惠敏
  • 1篇孟华
  • 1篇秦凯丰
  • 1篇朱悦
  • 1篇陈梦斐
  • 1篇于鸿泽

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法
本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能...
王林军杨惠敏黄健张磊任兵陶骏张凯勋
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一种柱状结构CdZnTe薄膜的制备方法
本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnT...
王林军王君楠黄健姚蓓玲唐可朱悦张凯勋陶骏沈心蔚
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平面型核辐射探测器件的制备方法及可携带式核辐射探测装置
本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法，具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置，包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主...
张月璐徐文强陶骏戴宣言徐闰张继军黄健王林军
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自支撑CdZnTe薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方...
陶骏张月璐徐文强徐海涛徐闰张继军黄健王林军
一种基于手表表带的充电装置
本发明涉及一种基于手表表带的充电装置，属于环保供电技术领域。充电装置组装方法为将以碲化锌及其合金为主题材料制作的温差发电晶片加工成手表表链，通过卡扣将每个发电晶片连接起来，实现各个发电模块的串联以达到足够大的电压。将得到...
徐文强张月璐陶骏徐闰王林军张继军黄健
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一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法
本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Si？pn结结构紫外可见光探测器，为制作高性...
王林军杨惠敏黄健张磊任兵陶骏张凯勋
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自支撑CdZnTe薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方...
陶骏张月璐徐文强徐海涛徐闰张继军黄健王林军
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一种基于CdZnTe薄膜的X射线探测器的制备方法
本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有...
王林军陶骏唐荣烨秦凯丰王君楠黄健唐可沈忠文
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含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测...
王林军张月璐陈梦斐于鸿泽孟华陶骏黄健徐闰张继军
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