郭清秀
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法立方氮化硼薄膜退火处理
- 文献传递
- 磁控溅射法制备立方氮化硼薄膜及原位掺硫研究
- 立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，它有许多优异的物理化学性质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族元素反应、宽的波长(从红外到紫外光谱)范围内很好的透光性、可实现n型...
- 郭清秀
- 关键词：氮化硼薄膜
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法FTIRXPS
- 文献传递
- 从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法
- 本发明涉及从硼膜制备立方氮化硼薄膜的方法。属于宽带隙半导体或者超硬材料薄膜制备领域。立方氮化硼薄膜为氮化硼中最难直接制备的材料，始终制约着立方氮化硼薄膜从实验室走向工业化的进程。本发明第一步：将衬底进行清洗之后，在所选的...
- 邓金祥郭清秀杨冰赵卫平
- 文献传递
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 2009年
- 用电子束蒸发法制备氮化硼薄膜,分别研究束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量的影响,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,束流大小和蒸发时间长短对薄膜质量都有影响,经过900℃氮气保护退火后,都得到了高立方相含量的氮化硼薄膜。
- 邓金祥郭清秀崔敏赵卫平杨冰杨萍
- 关键词：氮化硼薄膜电子束蒸发红外光谱
- 硫掺杂氮化硼薄膜的电学性质
- RF射频溅射法制备BN薄膜，使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions／cm2-1016ions／c...
- 邓金祥秦扬郭清秀李廷杨学良杨萍
- 关键词：BN表面电阻率激活能
- 电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究
- 立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙(Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成p型和n型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件,而且还可能用于制作场致电子发射器件(如:图...
- 邓金祥郭清秀赵卫平杨冰杨萍
