汪旭洋
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质
- 本文用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜，衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10-3 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1...
- 汪旭洋邓金祥张晓康姚倩王玲
- 关键词：氮化硼薄膜薄膜光学紫外光谱
- 文献传递
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法立方氮化硼薄膜退火处理
- 文献传递
- 电子束蒸发制备立方氮化硼薄膜的表面分析
- 介绍了用电子束蒸发法制备c-BN薄膜,通过FTIR分析得出制备的薄膜是富硼氮化硼薄膜。选定样品进行退火处理,退火温度为800℃,退火时间为1h,得到薄膜中的立方相在经过退火处理后有所增加。同时对样品XPS研究发现,在没有...
- 汪旭洋邓金祥赵卫平杨冰郭清秀杨萍
- 关键词：电子束蒸发法FTIRXPS
- 文献传递
- 宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究
- 立方氮化硼是人工合成的Ⅲ-V族闪锌矿结构化合物半导体材料，它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如：c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV)，可实现n型和p型掺杂，因此可用于制备高温、高...
- 姚倩邓金祥汪旭洋杨萍陈光华
- 关键词：立方氮化硼傅立叶变换红外吸收光谱
- 文献传递
- 氮化硼薄膜的红外光谱研究被引量：2
- 2008年
- 用磁控溅射法制备六角氮化硼薄膜,在衬底温度、衬底偏压、工作气压等条件一定的情况下改变工作气体(氮气+氩气)中氮气的比例,以制备高质量的六角氮化硼薄膜,薄膜以红外吸收光谱标识。实验结果表明,工作气体中氮气的比例对制得的六角氮化硼薄膜有很大影响,在氮气比例为20%时得到理想的六角氮化硼薄膜。
- 邓金祥王瑶张晓康周涛汪旭洋姚倩陈光华
- 关键词：氮化硼薄膜红外光谱
- 电子束蒸发法制备立方氮化硼薄膜及其光电性质研究
- 立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性，可进行n型掺杂也可进行p型掺杂。在力学、热学、光学、电子学等领域具有广阔的应用前景。因此，c-BN薄膜的制备和性质研究一直...
- 汪旭洋
- 关键词：立方氮化硼薄膜电子束蒸发光学性质电学性质整流特性
- 文献传递
- 电子束蒸发立方氮化硼薄膜的光学性质
- 用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜。衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1 h。所...
- 汪旭洋邓金祥张晓康姚倩王玲
- 关键词：电子束蒸发立方氮化硼薄膜傅里叶变换红外光谱光学性质
- 文献传递
- 立方氮化硼薄膜的光学带隙被引量：4
- 2008年
- 用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38 eV.
- 邓金祥汪旭洋姚倩周涛张晓康
- 关键词：立方氮化硼薄膜光学带隙
