赵福川
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
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- GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1
- 2001年
- 采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .
- 丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
- 关键词：旁栅效应沟道电流砷化镓MESFET场效应晶体管
- 旁栅偏压对GaAs MESFET沟道电流中低频振荡的调制
- 2005年
- 在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,发现旁栅偏压对沟道电流的低频振荡现象具有调制作用,无论旁栅偏压朝正向还是负向变化都存在一个阈值可以消除此低频振荡.理论分析认为这种调制作用与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.这一结论对于设计低噪声GaAsIC具有十分重要的指导意义.
- 丁勇陆生礼赵福川
- 关键词：沟道电流低频振荡调制作用碰撞电离EL2深能级
- MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
- 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
- 詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
- 关键词：砷化镓旁栅效应
- 文献传递
- MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
- 2000年
- 研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响，旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
- 詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
- 关键词：砷化镓MESFET
- GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象
- 2000年
- 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
- 宁珺丁勇毛友德夏冠群赵福川赵建龙
- 关键词：旁栅效应光敏MESFET深能级砷化镓
- 旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡被引量：1
- 2000年
- 通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
- 丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
- 关键词：低频振荡
- 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响被引量：2
- 1999年
- 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．
- 赵福川夏冠群杜立新谈惠祖莫培根
- 关键词：砷化镓高温退火
- GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象被引量：1
- 2000年
- 旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象可能与衬底深能级 (如EL2 )有密切的关系 ,通过减小衬底杂质补偿度有可能减轻旁栅效应影响。
- 宁珺丁勇夏冠群赵福川毛友德赵建龙
- 关键词：旁栅效应光敏特性砷化镓衬底
- 垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究被引量：3
- 2002年
- 在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。
- 谈惠祖杜立新赵福川
- 关键词：晶体生长半绝缘砷化镓单晶
- GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
- 2000年
- 研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
- 丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙
- 关键词：旁栅效应漏源电压砷化镓MESFET
