杜立新
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程机械工程历史地理更多>>
- 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
- 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
- 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
- 文献传递
- 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
- 本发明是双坩埚法直拉GaSb单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有L形或反L形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内...
- 莫培根谈惠祖杜立新范向群吴巨
- 文献传递
- 燃料电池电动车用储氢瓶的研究
- 本文介绍了Ti系储氢合金储氢瓶的性能,储氢瓶具有较好的吸放氢性能,已经成功应用于燃料电池电动摩托车.
- 吴铸李志林杜立新黄铁生
- 关键词：金属氢化物电动车燃料电池
- 文献传递
- 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响被引量：2
- 1999年
- 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．
- 赵福川夏冠群杜立新谈惠祖莫培根
- 关键词：砷化镓高温退火
- 垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究被引量：3
- 2002年
- 在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。
- 谈惠祖杜立新赵福川
- 关键词：晶体生长半绝缘砷化镓单晶
- 燃料电池电动车用储氢瓶的研究
- 本文介绍了Ti系储氢合金储氢瓶的性能,储氢瓶具有较好的吸放氢性能,已经成功应用于燃料电池电动摩托车。
- 吴铸李志林杜立新黄铁生
- 关键词：金属氢化物电动车燃料电池
- 文献传递
- 非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长被引量：1
- 2000年
- 研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标。
- 赵福川谈惠祖杜立新莫培根
- 关键词：晶体生长
