李凡
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
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- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下...
- 史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
- 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器，其特征在于：由读出电路，铝电极，下电极，光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极，铝电极上设计有凹槽，在凹槽内沉积金属下电极，下电极通过铝电极与读出电路连接，在读出电路、铝电极以及下...
- 史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
- 文献传递
- 不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间距能够有效地提高薄膜厚度均匀性,75 mm靶间距时,50 mm×60 mm及10 mm×10 mm范围内厚度均匀性分别优于7%和1%。
- 杨丽丽王光华孔金丞李雄军孔令德余连杰李凡邓功荣姬荣斌
- 关键词：均匀性磁控溅射
- InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算被引量：6
- 2011年
- InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算;同时,利用输运理论的质量和动量平衡方程对材料的光电导特性进行了计算分析,探讨了这类材料进行非制冷探测的优势。计算结果对深入认识该类材料的光电特性,从而对材料及器件进行优化设计具有重要的指导意义。
- 史衍丽李凡赵鲁生徐文
- 太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算被引量：5
- 2011年
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。
- 李凡史衍丽赵鲁生徐文
- 关键词：金属半导体场效应管I-V特性
