姬荣斌
- 作品数：215 被引量：191H指数：7
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 平面构型有机红外或紫外光伏半导体探测器
- 本发明涉及光电子技术领域，尤其是一种平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器包括：衬底，有机红外或紫外半导体、低功函电极、以及高功函电极，其特征在于：低功函电极和高功函电极位于同一平面。本发明的平面构型有机红外或紫外光伏...
- 唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅马钰王忆锋庄继胜
- 碲锌镉材料的研制
- 了国内外关于碲锌镉材料的研制情况,介绍了昆明物理研究所研制碲锌镉材料的进展和目前达到的水平.
- 黄晖赵增林万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
- 关键词：碲锌镉半导体材料
- 辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素被引量：16
- 2004年
- 采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :样品经足够长时间的溅射 ,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染 ,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据。
- 荣百炼普朝光姬荣斌鲁燕杰
- 关键词：痕量分析辉光放电质谱法半导体材料
- 电子掺杂双层石墨烯的制备方法
- 电子掺杂双层石墨烯的制备方法，涉及石墨烯，尤其是一种通过热蒸发在双层石墨烯表面蒸镀三聚氰胺分子，以调制石墨烯电学性质的电子掺杂双层石墨烯的制备方法。本发明的电子掺杂双层石墨烯的制备方法，其特征在于本制备方法以化学气相沉积...
- 唐利斌姬荣斌项金钟胡松文赵梓妤康蓉秦强韩福忠
- 文献传递
- 一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器
- 一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，属于光电子技术领域，尤其是一种半导体紫外光伏探测器技术。本发明的一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，包括基板、负极电极层、正极电极层和紫外半导体材料层，其特征在于该探测器的紫外...
- 唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅马钰王忆锋
- 文献传递
- 非晶衬底上择优取向ZnO纳米晶薄膜的溶胶-凝胶法制备技术被引量：3
- 2007年
- 使用一种新的溶胶-凝胶技术制备了ZnO固体薄膜,此技术的特点在于操作简单、环保、实用。此技术可在非晶基片(如玻璃、石英等)上制备c轴择优取向的大面积ZnO纳米晶薄膜。薄膜的红外透过率高,具备制作无机红外-紫外双色探测器的紫外光敏材料和光伏有机太阳能电池、有机红外探测器的透明导电电极等光电子器件的材料应用价值。
- 唐利斌郑云段瑜张筱丹赵俊吴刚黄晖宋炳文杨彦姬荣斌
- 关键词：ZNO溶胶-凝胶XRDFT-IR
- 中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究被引量：3
- 2015年
- HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。
- 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞朱颖峰庄继胜姬荣斌
- 关键词：表面钝化MIS器件C-V
- GeTe薄膜的性质、应用及其红外探测研究进展
- 2020年
- GeTe基半导体的非晶态,α-GeTe相和β-GeTe相可以相互转换,且在一定条件下稳定存在。利用高浓度空穴掺杂改善GeTe热电和铁电性能,以及非晶相和晶相间的巨大差异和快速切换,使其在热电、自旋器件、相变开关、相变存储等多个领域具有很大的应用前景。此外,GeTe具有窄光学带隙和高载流子迁移率,有望用于高性能红外光电探测,然而其在红外光电探测方面还处于初始阶段。本综述在详述其性质及在热电、相变等领域应用情况的基础上,根据GeTe的光电性质,展望了其在红外光电探测领域方面的应用。
- 赵逸群唐利斌唐利斌姬荣斌姬荣斌
- 关键词：物理性质光电探测器
- 硫掺杂石墨烯量子点的共燃制备方法
- 硫掺杂石墨烯量子点的共燃制备方法，涉及石墨烯量子点的制备方法，尤其是一种采用价格低廉的液体石蜡和二硫化碳作为原材料，采用共燃法进行制备的硫掺杂石墨烯量子点的共燃制备方法。本发明的硫掺杂石墨烯量子点的共燃制备方法，通过异质...
- 唐利斌姬荣斌项金钟高树雄
- 文献传递
- 一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖...
- 姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
