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赵鲁生: 作品数：13 被引量：71H指数：5; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金云南省重点新产品开发计划北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信兵器科学与技术医药卫生更多>>

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红外隐身材料性能评价系统: 本文设计了红外隐身材料特性评价系统，包括了现有的红外辐射率测量仪和热像仪两种测量评价手段，相信对于红外隐身材料的研究、措施的选择以及红外隐身效果的评价具有指导意义。; 赵鲁生姜杰陈光文; 关键词：隐身材料精确制导武器热像仪; 文献传递

热成象系统对目标距离的估算: 1989年; 本文介绍一种准确、可行的计算目标距离的方法。在计算目标距离时须要考虑大气传输、目标辐射特性、目标外形尺寸及热成象系统本身的性能参数。; 海玉洁赵鲁生; 关键词：热成象

一种混成式热释电非制冷焦平面探测器及其制造工艺: 一种混成式热释电非制冷红外焦平面探测器及其制造工艺，其特征在于制备探测器红外敏感元阵列的钛酸锶钡材料的厚度采用减薄结构，红外敏感元阵列采用横向热隔离网格化结构，有机红外吸收薄膜采用利用探测器芯片的金膜上电极制备的红外高吸...; 杨瑞宇刘黎明莫镜辉杨培志赵鲁生苏海樱康蓉

In_xGa_(1-x)As高性能全固态数字化微光器件被引量：3: 2013年; 作为全固态微光器件,In x Ga1-x As器件通过调节材料组分x值,其响应波段覆盖夜天光辐射的主要波段,对夜天光的能量利用率高。加之材料量子效率高,器件性能好,可望显著提高夜视系统作战距离;另外,采用半导体常规工艺制作,可完成大面阵、长线列器件制备,无需封装在(超)高真空系统,制备简单;采用CMOS读出电路进行信号数据的读取、传输与放大,有利于进行数据的处理和优化改善。由于具备的以上技术优势,In x Ga1-x As器件成为一种新型的高性能全固态数字化微光器件。In x Ga1-x As器件与传统的微光器件在光电转换原理以及器件制备方面存在不同,决定了两者在性能上存在的差异。文中对此进行了对比分析,分析结果体现了In x Ga1-x As全固态数字化微光器件的技术优势和特点,以及In x Ga1-x As全固态数字化微光器件存在的重要应用和发展需求。; 史衍丽吕玉增赵鲁生张卫锋胡锐; 关键词：INXGA1-XAS 全固态数字化

外层空间红外成像制导对抗技术分析被引量：17: 2002年; 红外成像探测、跟踪和识别技术是美国反导系统的关键技术之一。如何对抗红外成像末制导拦截弹 ,实现弹道导弹的成功突防 ,已成为世界各国研究的重要课题。今系统分析弹道导弹的红外辐射特征、对抗红外成像末制导拦截弹的机理、对抗技术措施和关键技术。; 周遵宁赵鲁生任跃李毅关华刘一民潘功配; 关键词：外层空间红外成像制导红外辐射红外探测红外对抗弹道导弹

一种混成式热释电非制冷焦平面探测器及其制造工艺: 一种混成式热释电非制冷红外焦平面探测器及其制造工艺，其特征在于制备探测器红外敏感元阵列的钛酸锶钡材料的厚度采用减薄结构，红外敏感元阵列采用横向热隔离网格化结构，有机红外吸收薄膜采用利用探测器芯片的金膜上电极制备的红外高吸...; 杨瑞宇刘黎明莫镜辉杨培志赵鲁生苏海樱康蓉; 文献传递

应用Lambert-Beer定律计算红外烟幕透过率的误差问题被引量：10: 2001年; 红外烟幕的光学性能测试一般依据Lambert Beer定律进行 ,但在烟幕的光学厚度较大时 ,按该定律计算烟幕的透过率会存在较大的误差。本文通过求解辐射传输方程得到烟幕透过率的精确解 ,将其与Lambert Beer定律的结果相对照 ,获得了用Lambert; 李毅潘功配赵鲁生周遵宁; 关键词：红外烟幕透过率

高功率绿激光前列腺增生治疗仪的研制被引量：3: 2015年; 该文介绍了高功率绿激光前列腺增生治疗的基本原理和治疗仪的研制。根据临床治疗的需要,设计了治疗仪科学合理的工作流程,研制了具有稳定输出的120 W绿光激光器,开发了硬件控制电路和操作软件,并设计了可靠的安全保护措施。治疗仪样机输出稳定,功能完备,操作简便,为前列腺增生治疗提供了一种具有自主知识产权的国产仪器选择。; 梁洁康宏向沈本剑赵鲁生吴新社陈鹏常爱红郭华郭佳钰; 关键词：绿激光前列腺增生

高原山地光电对抗中的烟幕技术被引量：2: 2011年; 针对高原山地特殊的作战环境,分析了高原山地自然环境对常规烟幕性能的影响,探讨了高原山地环境光电对抗烟幕技术的发展对策,认为烟火型多频谱发烟剂是一种比较理想的高原山地型发烟剂。; 蒋国涛邢伯阳李黎华崔玉玲周遵宁韩毅赵鲁生董宁宇张同来; 关键词：光电对抗高寒山地烟幕烟火技术

太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算被引量：5: 2011年; Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。; 李凡史衍丽赵鲁生徐文; 关键词：金属半导体场效应管 I-V特性