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李传海

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇阈值电压
  • 2篇阈值电压均匀...
  • 2篇均匀性
  • 2篇MESFET
  • 1篇单晶
  • 1篇电路
  • 1篇电路模拟
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇自动测试系统
  • 1篇离子注入
  • 1篇光照
  • 1篇测试系统

机构

  • 2篇合肥工业大学
  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 3篇李传海
  • 2篇夏冠群
  • 1篇朱朝嵩
  • 1篇詹琰
  • 1篇毛友德
  • 1篇刘汝萍
  • 1篇丁勇

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
光照对阈值电压均匀性的影响
2002年
研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响 .结果表明光照使耗尽型 MESFET器件的沟道电流增大 ,使阈值电压向负方向增加 ,并提高了阈值电压的均匀性 .研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响 MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一 。
朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
关键词：砷化镓MESFET阈值电压光照均匀性
不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究
2001年
分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。
李传海毛友德丁勇刘汝萍夏冠群
关键词：阈值电压均匀性离子注入砷化镓MESFET
砷化镓单晶阈值电压特性和自动测试技术研究
该文首先采用Pspice模拟软件中的Statz模型用实验的方法提取了三种基本GaAs逻辑单元电路的器件参数,然后模拟分析了阈值电压V<,th>跨导系数β、沟道长度调制系λ、源极寄生电阻R<,s>等器件及工艺参数对电路转换...
李传海
关键词：砷化镓电路模拟阈值电压自动测试系统
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