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文博

作品数:13 被引量:12H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 4篇铟镓氮
  • 3篇INGAN
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电压
  • 2篇电压方程
  • 2篇多结太阳电池
  • 2篇液氮
  • 2篇仪器
  • 2篇仪器结构
  • 2篇异质结
  • 2篇入射
  • 2篇隧道结
  • 2篇探测器
  • 2篇潜热
  • 2篇紫外光电探测...
  • 2篇相变
  • 2篇响应度
  • 2篇结型

机构

  • 13篇南京大学

作者

  • 13篇文博
  • 9篇谢自力
  • 9篇张荣
  • 9篇江若琏
  • 9篇韩平
  • 9篇郑有炓
  • 8篇周建军
  • 5篇陈敦军
  • 4篇刘成祥
  • 3篇姬小利
  • 2篇沈波
  • 2篇高学奎
  • 2篇陈鹏
  • 2篇高健
  • 2篇顾书林
  • 2篇刘斌
  • 2篇周超
  • 1篇张禹
  • 1篇胡立群
  • 1篇王荣华

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪
本发明公开了一种液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪,本发明方法利用样品与液氮进行热交换的过程,进行样品量热;还公开了两种优化方案,即:在样品量热过程中进行欠热补偿或过热补偿,以进一步提高量热精度。同时,本发明还公开了...
高学奎周超文博高健
文献传递
提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法,在GaN表面设有AlN窗口材料,在顶层AlN材料上设有导电电极。在兰宝石衬底材料上生长下述异质结构材料:以低温GaN为缓冲层并外延生长GaN吸收层、AlN窗口层,并在顶层AlN材...
江若琏沈波郑有炓周建军陈鹏张荣韩平谢自力文博姬小利
文献传递
新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
铟镓氮表面势垒型太阳电池,选用半导体材料In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N(0≤x≤1)为光吸收区和In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N MS或MIS结构表面势垒型太...
江若琏谢自力张荣文博周建军刘斌陈敦军郑有炓韩平刘成祥
文献传递
铟镓氮p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法
铟镓氮(InGaN)p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法,采用p-n结型太阳电池的电流-电压方程、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N禁带宽度与In组分关系式和In<Sub>x</Sub>Ga...
江若琏谢自力文博周建军陈敦军张荣韩平郑有炓
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液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪
本发明公开了一种液氮气化扫描量热法及液氮气化扫描量热仪,本发明方法利用样品与液氮进行热交换的过程,进行样品量热;还公开了两种优化方案,即:在样品量热过程中进行欠热补偿或过热补偿,以进一步提高量热精度。同时,本发明还公开了...
高学奎周超文博高健
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热退火对 InGaN薄膜性质的影响
2006年
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的In组分为0.14的InGaN薄膜在不同温度下进行了热退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱和变温霍尔等测试方法研究了In0.14Ga0.86N薄膜的晶格质量、表面形貌以及光学特性和电学特性随着退火温度的变化情况.结果表明,有利于提高In0.14Ga0.86N薄膜质量的最佳退火温度为500℃.通过对变温霍尔实验数据的拟合,初步分析了退火前后InGaN样品中的多种散射机制以及它们的变化情况.
文博江若琏刘成祥谢自力周建军韩平张荣郑有炓
关键词:INGAN热退火散射机制
InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象被引量:1
2006年
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.
刘成祥谢自力韩平刘斌李亮符凯周建军叶建东文博王荣华张禹陈敦军江若琏顾书林施毅张荣郑有炓
InGaN太阳电池的基础研究
随着传统的化石能源的消耗殆尽和全球范围环境意识的增强,人们对利用太阳能这种长期的、取之不尽的、环保的、可靠的能源越来越感兴趣。Ⅲ族氮化物是直接带隙半导体,具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等优异的...
文博
关键词:太阳电池
文献传递
InGaN太阳电池转换效率的理论计算被引量:11
2007年
根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的In组分,为设计InGaN太阳电池提供了理论依据.
文博周建军江若琏谢自力陈敦军姬小利韩平张荣郑有炓
关键词:INGAN太阳电池
一种基于实时多模态数据的救灾指挥系统及方法
本发明公开了一种基于实时多模态数据的救灾指挥系统及方法,所述系统包括指挥中心和模块化便携式边缘设备,所述指挥中心用于救灾现场的实时指挥和数据处理,包括数据处理模块和指挥中心数据传输模块;模块化便携式边缘设备包括数据采集模...
殷永旸文博林军徐金成魏伟
共2页<12>
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