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张继盛
作品数:
8
被引量:9
H指数:2
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
核科学技术
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合作作者
王勇
清华大学信息科学技术学院微电子...
王勇
清华大学
王水弟
清华大学
蒋志
清华大学
费圭甫
清华大学信息科学技术学院微电子...
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硅微条粒子探测器
被引量:6
1997年
本文主要介绍硅微条粒子探测器的研究情况,侧重于器件的基本结构及其工作原理。
王勇
张继盛
费圭甫
关键词:
粒子探测器
硅探测器
半导体探测器
硅微条粒子探测器的设计
张继盛
王勇
关键词:
粒子探测器
硅PIN探测器的应用
该文介绍PIN探测器可能应用。着重介绍在无损检测(NDT)中应用。从作者做市场调查表明,硅PIN探测器有很大潜在市场,市场开发是一项艰巨工作。
张继盛
王水弟
王勇
蒋志
关键词:
硅探测器
NDT
文献传递
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硅粒子探测器自动中测系统
1998年
本文介绍了一种适合硅粒子探测器的自动中测系统。可同时测量16个样品,全部由微机控制。数据存放在微机中,可以给出统计数据,也可绘出特性曲线,从而大大提高了测试效率与质量。目前用于测量硅粒子探测器反向I-V曲线。实验表明:本装置测得的数据是可靠的,并大大提高了效率。
张小军
张继盛
王勇
关键词:
自动测量系统
小电流
抗反射条定域再结晶方法在SOI技术中的应用
被引量:2
1990年
对Si_3N_4/SiO_2/Si多层膜系统对Ar^+激光的反射率进行了模型计算,设计了各种结构的抗反射条并且用CW—Ar^+激光对两种结构进行了再结晶实验研究。通过实验,确定了最佳的抗反射膜结构和条宽。用这种结构可以很好地将晶界限制在低反射区。实验结果支持了计算模型和设计。在设定的区域(500μm×300μm)范围内可以得到无晶界的条形薄膜(由光刻决定条的位置)。把MOSFET的栅区制作在膜的无晶介条上,测量得到表面电子和空穴迁移率分别为(μ-)_n=630cm^2/V·S·(μ-)_p=143cm^2/V·S;NMOS与PMOS管单位沟道宽度的沟道漏电流分别为I_n=3.3pA/μm,I_p=0.067pA/μm。
杨晓军
马腾阁
张继盛
钱佩信
关键词:
SOI技术
激光束
中国半导体工业面临着“机遇与挑战”──记’95国际半导体与集成电路技术国际会议
被引量:1
1996年
中国半导体工业面临着“机遇与挑战”──记’95国际半导体与集成电路技术国际会议张继盛,李志坚(清华大学)1会议概况会议于1995年10月24~28日在北京国际会议中心召开,由中国电子学会主办,跨国IEEE电子器件分会、固体电路分会、美国材料协会、日本...
张继盛
李志坚
关键词:
半导体工业
集成电路
电子工业
两年承教 终生受益——清华大学物9班(1959届)同学怀念夏学江老师
2014年
今年的春节刚过,便传来夏学江老师去世的噩耗,我们心里十分悲痛.在与他最后告别的会场上,我们留校的老物9班同学去了不少.回忆起夏先生对我们的辛勤栽培以及他那深厚的物理底蕴和崇高的敬业精神,我们的一个共识就是:他是我们大学时代几位使我们终生受益的好老师之一.
王诚泰
安继刚
刘桂林
曲长芝
吴学超
余加莉
张玫
张育曼
张继盛
张静懿
陆嘉珍
赵钧
赵朔嫣
聂玉光
徐育敏
倪国亮
钱启予
曹小平
黄祥瑞
梁森
薛大知
关键词:
老师
敬业精神
硅PIN探测器的应用
介绍PIN探测器可能应用。着重介绍在无损检测(NDT)中应用。从作者做市场调查表明,硅PIN探测器有很大潜在市场,市场开发是一项艰巨工作。
张继盛
王水弟
王勇
蒋志
关键词:
硅探测器
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