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张正幡

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：四川固体电路研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇热载流子
  • 1篇阈值电压
  • 1篇晶体管
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道热载流子
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇SOI器件
  • 1篇MOSFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇NMOSFE...

机构

  • 2篇西安电子科技...
  • 2篇四川固体电路...

作者

  • 2篇张正幡
  • 2篇朱建纲
  • 2篇郭林
  • 2篇郝跃

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤被引量：1
2001年
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .
郝跃朱建纲郭林张正幡
关键词：SOI热载流子阈值电压NMOSFET场效应晶体管
SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究
2001年
研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和 .在经历沟道热载流子应力之后 ,这类器件的电学参数退化不同于一般器件的损伤特性 .研究发现NMOSFET在应力之后其漏电流的深度饱和得到恢复 ;而对于PMOS ,应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象 .这些性质对于SOI器件可靠性设计和可靠性加固均是重要的 .
郝跃朱建纲郭林张正幡
关键词：热载流子SOI器件MOSFET
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