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朱建纲

作品数:7 被引量:5H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇载流子
  • 4篇热载流子
  • 4篇SOI
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 3篇NMOSFE...
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道热载流子
  • 2篇SOI_MO...
  • 1篇电场
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇阈值电压
  • 1篇计算方法
  • 1篇PDSOI
  • 1篇SIMOX

机构

  • 7篇西安电子科技...
  • 2篇四川固体电路...

作者

  • 7篇朱建纲
  • 6篇郝跃
  • 2篇张正幡
  • 2篇郭林
  • 2篇刘红侠
  • 1篇赵天绪
  • 1篇张卫东

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤被引量:1
2001年
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .
郝跃朱建纲郭林张正幡
关键词:SOI热载流子阈值电压NMOSFET场效应晶体管
沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性被引量:2
2002年
研究了沟道热载流子效应引起的 SOI NMOSFET's的退化 .在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )条件下 ,器件退化表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,由于寄生双极晶体管 (PBT)效应的影响 ,多特性的退化规律便会表现出来 ,漏电压的升高、应力时间的延续都会导致器件退化特性的改变 .对不同应力条件下的退化特性进行了详细的理论分析 ,对 SOI NMOSFET'S器件退化机理提出了新见解 .
刘红侠郝跃朱建纲
关键词:SOI沟道热载流子场效应晶体管
一种有效的电路容错结构及其成品率分析被引量:2
2000年
本文提出了一种有效的电路容错结构 ,给出了一种重组算法 .按照这种重组算法 ,对该结构的成品率进行了分析 ,并给出了其成品率的表达式 .最后 ,通过电路设计和分析说明了该容错结构的有效性 .
赵天绪郝跃朱建纲
关键词:成品率分析VLSIWSI
SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究
2001年
研究了SIMOXSOI器件的电学特性 .发现在众多的MOSFET中 ,输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变 ,表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和 .在经历沟道热载流子应力之后 ,这类器件的电学参数退化不同于一般器件的损伤特性 .研究发现NMOSFET在应力之后其漏电流的深度饱和得到恢复 ;而对于PMOS ,应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象 .这些性质对于SOI器件可靠性设计和可靠性加固均是重要的 .
郝跃朱建纲郭林张正幡
关键词:热载流子SOI器件MOSFET
Channel Hot-Carrier-Induced Breakdown of PDSOI NMOSFET's
2001年
The hot-carrier-induced oxide breakdown i s systematically clarified for partially depleted SOI NMOSFET's fabricated on SI MOX wafer.The gate oxide properties are considered to analyze the channel hot-c arrier effects.Hot-carrier-induced device degradations are also analyzed by st ress experiments under three typical hot-carrier injection conditions.Based on these results,the influence of channel hot carriers on SOI NMOSFET's front-chan nel properties is investigated.A power time dependence extrapolation technique i s proposed to predict the device's lifetime.Experimental results show that the N MOSFET's degradation is caused by the hot-holes,which are injected into the gat e oxide from the drain and then trapped near the drain side.However,the electron s trapped in the gate oxide can accelerate the gate breakdown.The two simultaneo us breakages of Si-O bonds at a Si atom lead to the irreversible relaxation of the oxide network.A novel physical mechanism of channel hot-carrier-induced ga te oxide breakdown is also presented.
刘红侠郝跃朱建纲
关键词:SIMOX
MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法
1998年
采用线性近似的方法,对MOS器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究,给出了一种较精确的简便计算方法.在该电场模型的基础上,建立了整个热载流子效应的模型框架.
朱建纲张卫东郝跃
关键词:MOS场效应晶体管IC
SOI MOSFET及其热载流子可靠性研究
SOI技术在未来的IC中占有很大的优势.该文以试验为基础,结合器件仿真,对SOI MOSEFT的特性及其热载流子可靠性进行了较全面的分析.论述了"kink"效应的出现机理,及在NMOSEFT与PMOSEFT之间所存在的差...
朱建纲
关键词:热载流子
共1页<1>
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