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张晓民

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：昆明贵金属研究所更多>>
发文基金：云南省应用基础研究基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇氮化铝陶瓷基...
  • 1篇电路
  • 1篇电子技术
  • 1篇电子浆料
  • 1篇电阻器
  • 1篇陶瓷基片
  • 1篇金属粉体
  • 1篇混合集成电路
  • 1篇基板
  • 1篇基片
  • 1篇集成电路
  • 1篇厚膜
  • 1篇厚膜电阻
  • 1篇厚膜电阻器
  • 1篇粉体
  • 1篇ALN基板
  • 1篇膜电阻器

机构

  • 3篇昆明贵金属研...

作者

  • 3篇张晓民
  • 1篇任金玉
  • 1篇罗庭碧
  • 1篇高官明
  • 1篇王小云

传媒

  • 3篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料被引量：3
1996年
研制了用于ＡｌＮ陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低ＰｂＯ含量晶化玻璃料配制银导体浆料，玻璃软化点４３０～４５０℃。电阻浆料采用ＰｂＯ（质量分数小于６％）的晶化玻璃料Ｂ、Ｃ、Ｄ三种，软化点分别为５２０℃、６９０℃、６１０℃。改变ＲｕＯ２与玻璃相的质量比，能控制电阻浆料的方阻值。质量比在５０比５０至１５比８５之间。加入添加剂ＭｎＯ２可改善电阻浆料的ＴＣＲ，阻值在２０Ω／□～１ＭΩ／□范围内，ＴＣＲ绝对值小于２００×１０－６／℃。
高官明张晓民王小云任金玉
关键词：电子浆料氮化铝陶瓷基片混合集成电路
钌基厚膜电阻器传导机理述评被引量：3
1994年
钌基厚膜电阻器传导机理的合理解释为隧道效应。钌基厚膜电阻器电导的温度相关性、电导的电场相关性、电阻的应变效应及其他一些实验现象均可用隧道效应加以解释。文章还介绍了几种传导模型：Ｃａｎａｌｉ的模型给出了与实验现象一致的定性解释；Ｐｉｋｅ的理论计算运用于有效激合能为主要作用的Ｍ２Ｒｕ２Ｏ７型电阻器；Ｗｉｋｌｅｒ证明了电子以弯曲轨道传递的模型是合理的。
张晓民
关键词：厚膜电阻器
AlN基板用厚膜浆料发展评述被引量：2
2007年
介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备,粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体制备还是以化学还原为主。粘结方式中,玻璃相粘结具有较高的可靠性;反应粘结因导热性和热应力等方面的优势,使其成为AlN基板厚膜浆料粘结的重要方式。
罗庭碧张晓民
关键词：电子技术ALN基板金属粉体
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