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刘丹: 作品数：11 被引量：10H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1: 2008年; 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.; 李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经; 关键词：ALGAN/GAN HEMTS 钝化

X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究: 2008年; 基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm。研究了Γ栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响。器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析。8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB。; 王冬冬刘果果刘丹李诚瞻刘新宇和致经; 关键词：ALGAN/GAN HEMTS 截止频率

GaN HEMT器件22元件小信号模型被引量：3: 2007年; 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型,通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提高,物理意义更为明确.同时重点改进了寄生电容参数的提取方法,可有效地提取新型栅场板、源场板器件小信号参数.由算法提取的参数值可准确反映GaN HEMT器件的物理特性.; 刘丹陈晓娟刘新宇吴德馨; 关键词：GAN HEMT 小信号

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取: 2007年; 利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.; 刘丹陈晓娟罗卫军李诚瞻刘新宇和致经; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 小信号等效电路

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型被引量：2: 2006年; 在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-V特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-V特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.; 刘丹陈晓娟刘果果和致经刘新宇吴德馨; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 衬底

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计被引量：2: 2007年; 我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.; 姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军; 关键词：微波功率放大器 ALGAN/GAN HEMT

AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band被引量：2: 2007年; A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10 × 120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at VDS = 40V, IDS = 0.9A, a maximum CW output power of 41.4dBm with a maximum power added efficiency （PAE） of 32.54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5.4GHz.; 姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻罗卫军王晓亮刘丹刘果果刘新宇; 关键词：MIC

掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究: 2007年; 对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响.; 李诚瞻刘键刘新宇刘果果庞磊陈晓娟刘丹姚小江和致经; 关键词：GAN HEMT 电流崩塌效应掺杂

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取: 本文利用国际通用的coldFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,并用仿真软件ADS(Advanced Design System)建立HEMT小信号等效电路模型,对参数值进行...; 刘丹陈晓娟罗卫军李诚瞻刘新宇和致经; 关键词：小信号等效电路 HEMT器件; 文献传递

AlGaN/GaN HEMT器件高温退化机理研究: 通过观察AlGaN/GaN HEMT器件在不同的环境温度下直流特性的变化以及器件置于一段时间高温环境后冷却至室温直流特性的变化得出AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性随温度的变化趋势,并进一步讨论AlGaN/GaN...; 姚小江刘新宇刘键魏珂李诚瞻刘丹刘果果陈小娟和致经; 关键词：高温