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中国电子科技集团公司第五十五研究所

作品数:2,602 被引量:1,314H指数:13
相关作者:陈堂胜朱健孔月婵李拂晓李忠辉更多>>
相关机构:中国电子科技集团第十三研究所南京航空航天大学东南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
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陈堂胜
作品数:389被引量:299H指数:8
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱健
作品数:213被引量:229H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MEMS MEMS开关 微机电系统 硅基 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
作品数:195被引量:113H指数:6
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
作品数:142被引量:171H指数:6
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
作品数:129被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 成核 氮化镓 单晶薄膜 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
作品数:109被引量:175H指数:6
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
作品数:103被引量:12H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 导电类型 刻蚀 沟道 MOSFET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊卫华
作品数:99被引量:15H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:光学 触摸屏 显示屏 液晶显示模块 液晶屏
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
作品数:94被引量:100H指数:6
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庞学满
作品数:79被引量:90H指数:5
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:多层陶瓷 陶瓷 封装外壳 金属化 微波传输
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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