您的位置: 专家智库 > >

华南师范大学光电子材料与技术研究所

作品数:302 被引量:744H指数:14
相关作者:许毅钦陈贵楚宋晶晶赵芳周德涛更多>>
相关机构:肇庆学院电子信息与机电工程学院佛山科学技术学院理学院中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 245篇期刊文章
  • 55篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 121篇电子电信
  • 101篇理学
  • 28篇电气工程
  • 19篇机械工程
  • 18篇一般工业技术
  • 13篇自动化与计算...
  • 12篇文化科学
  • 9篇化学工程
  • 5篇经济管理
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇建筑科学
  • 3篇农业科学
  • 1篇生物学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇社会学
  • 1篇政治法律

主题

  • 62篇发光
  • 33篇光学
  • 32篇二极管
  • 31篇发光二极管
  • 30篇掺杂
  • 29篇GAN
  • 27篇LED
  • 26篇第一性原理
  • 22篇光电
  • 22篇P型
  • 21篇电池
  • 21篇半导体
  • 19篇电子结构
  • 19篇子结构
  • 19篇MOCVD
  • 16篇密度泛函
  • 15篇光电子
  • 14篇电子学
  • 14篇光电子学
  • 13篇激光

机构

  • 301篇华南师范大学
  • 9篇中山大学
  • 8篇华南理工大学
  • 8篇肇庆学院
  • 6篇佛山科学技术...
  • 5篇广东工业大学
  • 5篇深圳大学
  • 4篇广州大学
  • 4篇广西大学
  • 4篇烁光特晶科技...
  • 3篇北京大学
  • 3篇国防科学技术...
  • 3篇南昌大学
  • 3篇西北工业大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇国家知识产权...
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇广东省理工职...
  • 2篇上海师范大学
  • 2篇西安交通大学

作者

  • 147篇范广涵
  • 54篇章勇
  • 54篇李述体
  • 50篇郑树文
  • 38篇郭志友
  • 30篇张涛
  • 23篇孙慧卿
  • 18篇陈贵楚
  • 17篇周天明
  • 15篇赵灵智
  • 15篇谭春华
  • 15篇牛巧利
  • 13篇宿世臣
  • 12篇肖瑶
  • 12篇雷勇
  • 11篇贺龙飞
  • 11篇尹以安
  • 11篇丁少锋
  • 11篇黄琨
  • 10篇陈练辉

传媒

  • 35篇物理学报
  • 35篇华南师范大学...
  • 26篇发光学报
  • 12篇量子电子学报
  • 11篇第十届全国M...
  • 10篇光子学报
  • 9篇照明工程学报
  • 7篇光电子.激光
  • 6篇功能材料
  • 5篇激光与光电子...
  • 5篇光学学报
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 4篇广州化工
  • 4篇半导体光电
  • 4篇第13届全国...
  • 3篇半导体技术
  • 3篇科技管理研究
  • 3篇物理化学学报
  • 3篇光散射学报
  • 2篇光电子技术与...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 10篇2017
  • 10篇2016
  • 16篇2015
  • 21篇2014
  • 29篇2013
  • 26篇2012
  • 24篇2011
  • 29篇2010
  • 19篇2009
  • 17篇2008
  • 24篇2007
  • 14篇2006
  • 16篇2005
  • 13篇2004
  • 11篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
302 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
屏幕显示法律保护的几个方面
1997年
本文叙述了屏幕显示的法律保护问题 。
黄荔
关键词:屏幕显示用户界面版权
从一个案例看电子数据库的版权保护
1997年
电子数据库的版权保护的问题是目前计算机技术版权保护中的一个热点 ,本文通过一个软件版权纠纷的案例 ,讨论了其中存在的问题 ,即在现阶段 ,未有专门保护数据库法律的情况下 ,可否把电子数据库与程序一起纳入软件保护的范围的问题 .
张甫筠
关键词:法律数据库版权保护
退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量:4
2012年
利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。
闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇
关键词:电子束蒸发退火温度
低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
2013年
采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果表明,这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变AlGaN量子阱垒层的Al组分,调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下较稳定,而Al组分为0.09时,光谱只在40~100 mA电流范围内较稳定.
罗长得严启荣李正凯郑树文牛巧利章勇
关键词:发光二极管
Ni掺杂AlN铁磁性的第一性原理研究被引量:6
2010年
采用密度泛函理论(DFT)的总体能量的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Ni掺杂AlN32原子超原胞体系分别进行了几何结构优化,计算和分析了Ni掺杂AlN的结构、能带、电子态密度、集居数及体系总能.结果表明,Ni掺杂AlN会产生自旋极化,能带结构显示6.25%Ni掺杂AlN呈现半金属性质,有铁磁性,铁磁性可以用Ni和相邻的N之间的p-d杂化机制来解释.Ni掺杂的AlN应该是一种有应用前景的稀磁半导体DMS.
曾坤郭志友王雨田赵华雄林竹
关键词:NIALN第一性原理铁磁性
Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量:20
2007年
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
张丽敏范广涵丁少锋
关键词:ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析被引量:4
2003年
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
陈贵楚范广涵陈练辉刘鲁
关键词:AL组分
P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究被引量:1
2008年
介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。
毕艳军郭志友于敏丽
关键词:红外探测器
人工蛋白石光子晶体制备技术及改性研究进展被引量:2
2005年
人工蛋白石是一种极有前途的三维光子晶体带隙材料,介绍了二氧化硅人工蛋白石光子晶体在制备方面的研究进展及其改性研究的发展现状。
谭春华范广涵梁桂琼黄琨雷勇
关键词:蛋白石三维光子晶体改性研究二氧化硅
卷曲花瓣形貌SnS2/Co3O4复合物作为锂离子电池负极材料的合成与性能研究
SnS2由于具有较高的理论容量,较低的嵌锂电位,以及丰富的自然资源储备,在锂电池应用方面而备受广大研究者的青睐.但是锡基硫化物在循环过程中存在较为严重的体积效应,导致差的循环稳定性,从而限制了其在锂离子电池方面的商品化应...
朱雁飞李文涛张怡琼潘雪雪曾荣华赵灵智
共31页<12345678910>
聚类工具0