国家科技重大专项(2011ZX02709-2)
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 相关作者：于大全王志刘晓阳庞诚陈文录更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所华进半导体封装先导技术研发中心有限公司江苏物联网研究发展中心更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响(英文)被引量：4
- 2013年
- 详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比。仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15%,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重。最后,通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据。
- 王志庞诚平野任晓黎于大全
- 关键词：插入损耗
- TSV结构的几种SPICE模型仿真被引量：4
- 2013年
- 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。
- 庞诚王志于大全
- 关键词：SPICE模型有限元方法S参数
- 高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术被引量：1
- 2014年
- 硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响。研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景。
- 薛恺陈福平张晓燕张明川王晖于大全
- 关键词：清洗技术
- 粗线条的2.5D硅转接板高速信号布线设计与仿真分析被引量：2
- 2014年
- 硅转接板作为2.5D集成的核心结构,通过TSV(through silicon via)提供垂直互联大大缩短了连线长度;同时其热膨胀系数与芯片较好匹配,并兼容圆片级工艺,因此硅转接板拥有着广阔的应用与发展空间。然而由于现有的封装工艺条件的限制,以及半导体硅高损耗的特性,在实现高速信号的高密度集成时,会出现损耗、串扰等多方面的信号完整性问题。结合封装工艺,针对硅转接板10μm线宽的RDL(redistribution layer)传输线多种布线结构在ANSYS的全波电磁场仿真软件HFSS中建立模型。通过仿真,得出硅衬底对传输线电性能的影响;以及单端和差分传输线的合理布线方式,并且提出了高速传输线的高密度排布结构。通过20μm线宽RDL传输线的高频电测试与仿真的结果分析,得出转接板RDL制作工艺的可靠性以及仿真方法的准确性,同时得出RDL层间介质厚度对传输线高频电性能的影响。
- 平野王海东王志尚文亚秦征武晓萌刘晓阳于大全
- 关键词：SILICONVIA
- 应用子模型的高密度大规模2.5D转接板内TSV热应力仿真误差分析被引量：1
- 2013年
- 讨论了ANSYS子模型技术对高密度2.5D转接板内TSV(Through Silicon Via)的热应力仿真误差,分析了TSV直径和高度对仿真误差的影响。研究发现子模型仿真误差会随着TSV直径的增加而大幅升高,严重影响子模型热应力计算结果的准确性和可靠性。为解决此问题,提出了几种子模型技术的改进仿真方案,并综合比较了各方案的仿真误差以及计算量和计算时间,指出等效简化方法和"嵌入式"子模型结构能在较少的资源消耗下得到更理想的仿真结果。
- 马鹤戴风伟于大全
- 关键词：热应力
- 硅通孔(TSV)转接板微组装技术研究进展被引量：9
- 2015年
- 以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(So C)提供了解决方案。转接板作为中介层,实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连,降低了系统芯片制作成本和功耗。在基于TSV转接板的三维封装结构中,新型封装结构及封装材料的引入,大尺寸、高功率芯片和小尺寸、细节距微凸点的应用,都为转接板的微组装工艺及其可靠性带来了巨大挑战。综述了TSV转接板微组装的研究现状,及在转接板翘曲、芯片与转接板的精确对准、微组装相关材料、工艺选择等方面面临的关键问题和研究进展。
- 刘晓阳刘海燕于大全吴小龙陈文录
- 关键词：微组装技术基板
