国家自然科学基金(60727003)
- 作品数：8 被引量：27H指数：3
- 相关作者：李超波夏洋汪明刚刘邦武刘杰更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所昆明理工大学中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中国科学院科研装备研制项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 2010年
- 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：感应耦合等离子体ENERGY离子密度二次离子质谱直流电压源
- 图形化蓝宝石衬底工艺研究进展被引量：10
- 2012年
- 图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。
- 黄成强夏洋陈波李超波万军汪明刚饶志鹏李楠张祥
- 关键词：发光二极管光刻纳米压印刻蚀
- 等离子喷涂氧化钇涂层的组织结构被引量：3
- 2010年
- 利用大气等离子喷涂技术在铝基体上制备了氧化钇涂层,采用扫描电镜、X射线衍射仪和金相显微镜对涂层的组织结构进行分析。结果表明:利用等离子喷涂制备的氧化钇涂层没有裂纹,比较致密,其孔隙率为5.58%;涂层由立方相和单斜相组成,喷涂粉末的相结构影响涂层的物相,粉末中的单斜相促进等离子喷涂过程中立方→单斜相变过程。
- 刘邦武王文东罗小晨李超波夏洋
- 关键词：等离子喷涂氧化钇涂层
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 自等离子体浸没注入技术被提出以来,该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。近年来该技术被用于32 nm以下技术节点中的超浅结制作。与束线离子注入技术相比,该技术注入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没...
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：超浅结
- 文献传递
- 黑硅制备及应用进展被引量：3
- 2011年
- 黑硅作为一种新型低反射率的硅材料,有良好的广谱吸收特性,在光电领域将有很好的应用前景。概括地介绍了黑硅的各种制备方法(飞秒激光扫描、化学腐蚀法和等离子体处理),以及黑硅在太阳能电池、光电二极管、场发射、太赫兹发射等领域的应用。
- 沈泽南刘邦武夏洋刘杰李超波陈波
- 关键词：飞秒激光化学腐蚀等离子体处理太阳能电池
- InP/Si键合技术研究进展被引量：3
- 2010年
- InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。
- 刘邦武李超波李勇涛夏洋
- 关键词：SIINP键合
- 等离子体浸没离子注入技术与设备研究被引量：2
- 2010年
- 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。
- 刘杰汪明刚杨威风李超波夏洋
- 关键词：等离子体浸没离子注入超浅结感应耦合线圈结构
- 基于PSS刻蚀平台的真空微气压控制研究被引量：1
- 2013年
- 针对当前图形化蓝宝石衬底ICP干法工艺刻蚀流程,对工艺腔室真空环境微气压调节非线性特征进行了动态监测,本文提出了一种基于自适应模糊PID的微气压控制算法。该算法利用质量流量计MFC及真空泵组减压阀的参数调节,实现真空环境微气压调节。通过Matlab仿真及刻蚀流程气压控制测试表明,工艺腔室的真空微气压自适应模糊PID控制基本符合仿真结果。在气压为0.13～20Pa的真空环境下,工艺腔室气压动态控制效果良好,具有鲁棒性强、超调量小、过渡时间短等特点,满足工艺刻蚀流程中正常刻蚀速率、选择比及均匀性等指标。
- 林永奔李勇滔李超波夏洋汪明刚陈焰
- 关键词：自适应模糊PID控制MATLAB仿真
- 全固态高效率射频电源被引量：5
- 2011年
- 射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件，其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器，通过适当的阻抗匹配网络，最终的射频电源在500W的额定功率下，功率转换效率可以达到84％，微电子设备真空腔室内的等离子体启辉时，其阻抗变化范围很大且速度很快。目前匹配速度最快的MKS的自动匹配器（在允许匹配范围内匹配到50Ω时用时3～5S）也很难实时跟上，所以固态射频电源必须能够承受500W功率的反射至少3～5s。经过实验后，本固态射频电源完全可以承受500W功率的全反射308左右。
- 秦威李勇滔李超波夏洋李英杰赵章琰许晓平
- 关键词：E类阻抗匹配网络等离子体全反射
