您的位置: 专家智库 > >

领域

  • 5个电子电信

主题

  • 5个电路
  • 5个电子迁移率
  • 5个砷化镓
  • 5个迁移率
  • 5个高电子迁移率
  • 5个MMIC
  • 4个单片
  • 4个单片集成
  • 4个单片集成电路
  • 4个多功能芯片
  • 4个数字电路
  • 4个微光
  • 4个场效应
  • 3个氮化镓
  • 2个单片微波
  • 2个单片微波集成...
  • 2个低噪
  • 2个低噪声
  • 2个低噪声放大器
  • 2个移相器

机构

  • 5个南京电子器件...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个东南大学
  • 1个微波毫米波单...

资助

  • 1个国家自然科学...
  • 1个国家重点实验...

传媒

  • 5个固体电子学研...
  • 4个电子与封装
  • 3个半导体技术
  • 2个电子元件与材...
  • 1个电子学报
  • 1个东南大学学报...
  • 1个红外与毫米波...
  • 1个稀有金属
  • 1个电子显微学报
  • 1个微波学报
  • 1个真空电子技术
  • 1个混合微电子技...
  • 1个2010年全...
  • 1个第六届全国毫...
  • 1个第十二届全国...
  • 1个2010’全...
  • 1个2000全国...

地区

  • 5个江苏省
5 条 记 录,以下是 1-5
贾东铭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 加速寿命试验 MMIC 微波单片集成电路 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 微光 太赫兹 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭啸
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微光 GAAS 砷化镓 场效应管 高电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹文静
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 场效应管 高电子迁移率 微光 数字电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
聚类工具0