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刘斌

作品数：41 被引量：56H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>

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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘胜北
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 3C-SIC 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑柳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：4H-SIC 碳化硅 肖特基二极管 真空系统 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马骁宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 激光器 半导体可饱和吸收镜 热沉 激光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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