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李贝

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 14个电子电信
  • 4个化学工程
  • 4个自动化与计算...
  • 2个电气工程
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个一般工业技术
  • 1个理学

主题

  • 13个CCD
  • 9个氮化
  • 9个氮化硅
  • 9个电荷耦合
  • 9个电荷耦合器
  • 9个电荷耦合器件
  • 9个沾污
  • 9个铁离子
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  • 8个淀积
  • 8个多晶
  • 8个多晶硅
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  • 7个气相淀积
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  • 5个电路
  • 5个栅介质
  • 5个图像
  • 5个图像传感器

机构

  • 13个重庆光电技术...
  • 1个电子科技大学
  • 1个中国国防科技...

资助

  • 1个国家杰出青年...
  • 1个国家重大航天...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个中国人民解放...

传媒

  • 14个半导体光电
  • 5个电子科技
  • 4个电子技术（上...
  • 2个2004全国...
  • 1个光电子．激光
  • 1个半导体情报
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  • 1个材料导报
  • 1个物理化学学报
  • 1个中国科学（E...
  • 1个传感技术学报
  • 1个航天器工程
  • 1个集成电路应用
  • 1个第八届中国微...

地区

  • 13个重庆市
  • 1个北京市
共 14 条 记 录，以下是 1-10
廖乃镘
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李仁豪
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 电荷耦合器件 TDI 读出电路 表面光电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁安波
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 光刻 选择比 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向华兵
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD LPCVD 表面光电压 氮化硅 电荷耦合器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阙蔺兰
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：多晶硅 LPCVD CCD 电荷耦合器件 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志国
供职机构：中国国防科技信息中心
研究主题：表面光电压 氮化硅 铁离子 低压化学气相淀积 沾污
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林海青
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：表面光电压法 表面光电压 CCD 放大器 沟道长度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD TDI 高分辨率 可见光CCD 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向鹏飞
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 选择比 反应离子刻蚀 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘方
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 光刻胶 离子注入 斜坡 特征尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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