您的位置： 专家智库 > >

蔡利康

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 6个理学
  • 3个一般工业技术
  • 1个化学工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个电气工程

主题

  • 8个迁移率
  • 7个异质结
  • 7个微波毫米波
  • 6个氮化
  • 6个氮化铝
  • 6个性能研究
  • 6个摇摆曲线
  • 6个异质结材料
  • 6个双异质结
  • 6个退火
  • 6个迁移
  • 6个微波材料
  • 6个脉冲法
  • 6个金属有机化学...
  • 6个金属有机物
  • 6个金属有机物化...
  • 6个晶体
  • 6个晶体质量
  • 6个晶向
  • 5个氮化镓

机构

  • 8个南京电子器件...
  • 1个长春光学精密...

资助

  • 7个国家自然科学...
  • 6个国家高技术研...
  • 5个江苏省自然科...
  • 4个江苏省科技支...
  • 1个国家重点基础...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个国家部委预研...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个中央高校基本...

传媒

  • 8个固体电子学研...
  • 6个物理学报
  • 6个人工晶体学报
  • 5个第13届全国...
  • 4个发光学报
  • 3个功能材料
  • 2个半导体技术
  • 2个Journa...
  • 2个第十五届全国...
  • 2个第十五届全国...
  • 1个电子学报
  • 1个微电子学与计...
  • 1个兵工学报
  • 1个长春光学精密...
  • 1个中国有色金属...
  • 1个功能材料与器...
  • 1个光电子技术
  • 1个半导体光电
  • 1个电子元器件应...
  • 1个微纳电子技术

地区

  • 8个江苏省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
彭劲松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：X波段 PIN限幅器 单片 GAAS 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗伟科
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN薄膜 MOCVD SIC衬底 金属有机物化学气相沉积 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乾坤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：ALN 金属有机物化学气相沉积 MOCVD ALGAN/GAN SIC衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传皓
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC衬底 MOCVD ALN 金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0