彭劲松
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 泡显影液法T-TOP剥离工艺研究
- 2010年
- 介绍的泡显影液法T-TOP剥离工艺,是一种简单的金属剥离方式,它在普通光刻工艺流程中加入浸泡显影液环节,通过调节烘烤温度,制作出利于剥离的T型胶剖面,并配合正确的剥离操作,最终实现完好的金属互联。该方法相对来说,工艺简单、易于操作、经济实用。
- 彭劲松黄念宁陈堂胜
- X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
- 2017年
- 功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，
- 彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
- 关键词：PIN限幅器大功率单片X波段PIN二极管GAAS
- 基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的相移掩膜光刻技术研究被引量：1
- 2014年
- 首次在国内开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的0.13μm相移掩膜光刻工艺研究。通过与传统的二进制掩膜技术比较,分析讨论了相移掩膜技术提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌的原理。通过光刻仿真软件模拟相移掩膜和二进制掩膜工艺,结果表明相移掩膜工艺对应的光学成像质量明显优于二进制掩膜工艺。进一步的实验表明,相移掩膜的曝光范围要高于二进制掩膜,同时相移掩膜工艺的线宽均匀性以及光刻剖面形貌也是要优于二进制掩膜。通过以上的研究,表明相移掩膜技术可以提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌。
- 蔡利康彭劲松高建峰
- 关键词：焦深
- X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量：7
- 2017年
- 在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。
- 彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
- 关键词：微波单片集成电路GAASPIN
- X波段400 W GaN内匹配功率管被引量：5
- 2018年
- 报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。
- 唐世军顾黎明陈韬彭劲松
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管X波段
- 基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究
- 2014年
- 首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。
- 蔡利康彭劲松高建峰
