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李真

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇单片
  • 3篇限幅器
  • 3篇PIN限幅器
  • 2篇功率
  • 2篇二极管
  • 2篇PIN二极管
  • 2篇X波段
  • 2篇大功率
  • 2篇GAAS
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇集成电路
  • 1篇毫米波
  • 1篇PIN
  • 1篇KA波段

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇彭龙新
  • 3篇李真
  • 2篇彭劲松
  • 2篇徐波
  • 2篇李光超

传媒

  • 3篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量:7
2017年
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。
彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
关键词:微波单片集成电路GAASPIN
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
2017年
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求,优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,
彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
关键词:PIN限幅器大功率单片X波段PIN二极管GAAS
毫米波15 W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量:1
2018年
南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限幅器芯片。在33~37 GHz内,测得该限幅器插入损耗约1.3 dB,输入输出驻波≤1.65。
彭龙新彭龙新李真
关键词:PIN限幅器大功率单片毫米波PIN二极管KA波段
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