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作品数：40 被引量：5H指数：1
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赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡小五
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 晶体管 栅氧化层 SOI 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
滕瑞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：单粒子效应 二次谐波 集成电路 测量方法 测试系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王春林
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率VDMOS器件 测试电路 辐照 单粒子效应 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二次谐波 临界态 光刻胶 硅片 厚层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 输入端 存储器 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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